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无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • 减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法与流程
    本发明涉及多晶硅领域,尤其涉及减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法。Cs是指硅晶体中的一部分硅原子被碳原子替代而形成的物质,其属于硅晶体内部的含碳杂质。为了提高单晶硅的质量,需要尽可能降低单晶硅产品中的含碳杂质。单晶硅可以通过直拉法制备,直拉法过程中采用的原料为多晶硅块。对于作为直拉...
  • 一种晶片的黑化方法及黑化后晶片与流程
    本发明涉及一种晶片的制作方法,具体涉及晶片的黑化方法。钽酸锂(LiTaO3,LT)和铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体是比较典型的多功能材料,具有优良的压电、铁电、声光及电光效应,因而成为表面声波(SAW)器件、光通讯、激光及光电子领域中的基本功能材料。广泛应用于谐振器、滤波器、换能器等电子...
  • 一种用于磁控直拉单晶的线圈结构及磁控直拉单晶的方法与流程
    本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种用于磁控直拉单晶的线圈结构及磁控直拉单晶的方法。随着半导体微电子器件和大规模集成电路等器件制造技术的迅速发展,对半导体材料单晶硅的制备要求越来越高。单晶硅中的有害杂质及其不均匀性是制约单晶质量的主要因素之一,因此减少单晶材料的缺陷,杂质含量,提高氧...
  • FeSe多晶界超导体及其制备方法与流程
    本发明涉及超导,尤其涉及FeSe多晶界超导体及其制备方法。高温超导体是一类不能用传统的BCS理论解释的非常规超导体。1986年,米勒和贝德诺尔茨首次发现了铜氧化合物高温超导体。2008年,日本科学家首次发现了铁基高温超导体。由于铁基高温超导体的超导转变温度最高值远低于铜氧化物高温超...
  • 一种棒状α-半水硫酸钙晶须的制备方法与流程
    本发明涉及石膏材料制备,具体涉及一种棒状α-半水硫酸钙晶须的制备方法。在医药化工领域,无水硫酸钠被广泛作为干燥剂、脱水剂来使用,因此产生大量含结晶水的硫酸钠固体废弃物。医药化工产生的硫酸钠固体废弃物一般含有甲苯、乙酸乙酯、二氯甲烷和石油醚等残留溶剂。例如精细化工产品的生产工艺中,强...
  • 用于助熔剂法生长氮化物单晶的?#24615;?#32467;构、?#20302;?#21450;方法与流程
    本发明涉及一种氮化物单晶的制备方法,特别涉及一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的原料?#24615;?#32467;构、?#20302;?#21450;方法。助熔剂法(NaFluxmethod)生长氮化镓(GaN)单晶技术是目前国际上公认的获得高质量、大尺寸氮化镓体单晶的生长方法之一。由于生长体系所用的氮源为外部提供的氮气或氨气,因此,在气...
  • 一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置的制作方法
    本发明涉及一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置,属于碳化硅材料。碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等优点,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料,在白光照明、光存储、屏幕显?#23613;?#33322;...
  • 一种碳化硅晶体及其制备方法与流程
    本申请涉及一种碳化硅晶体及其制备方法,属于晶体材料制备领域。碳化硅是典型的宽禁带半导体材料,是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料代表之一。碳化硅材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率等优异特性,成为制备高温、高频、高功率及抗辐射器件的热门材料之一。目前碳化硅生长的方法主要有物理气相...
  • 拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片与流程
    本发明涉及半导体制造,特别涉及一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片。在半导体硅片的制造过程中,单晶硅棒的质量决定硅片的质量,因此,提高单晶硅锭的质量至关重要,在生长单晶硅锭的过程中,主要的原生缺陷,根据不同的检测方法可将其命名为,晶体原生缺陷(CrystalOrigin...
  • 一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法与流程
    本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法。单晶硅是晶体材料中的重要组成部分,它是制造半导体硅器件的原料,广泛应用于大规模集成电路、整流器、大功率晶体管、二极管及太阳能电池板等半导体制造领域。单晶硅的制法分为直拉法和悬浮区熔法。目前绝大部分单晶...
  • 一种多晶硅铸锭炉的溢流隔离装置的制作方法
    本发明涉及多晶硅铸锭炉,具体为一种多晶硅铸锭炉的溢流隔离装置。多晶硅铸锭是使用石英陶瓷坩埚进行生产的,先将硅料放入到石英陶瓷坩埚中,再将石英陶瓷坩埚放入到多晶硅铸锭炉中,通过?#23588;?#20351;硅料熔化,由于液态硅料具有较好的流动性,会很快流到铸锭炉体底部。由于铸锭炉体为双层夹套结构,在夹套中通...
  • 一种用于晶?#27531;?#36716;的气浮基座的制作方法
    本发明涉及?#22411;型庋由?#38271;的晶圆的装置,具体涉及一种用于晶?#27531;?#36716;的气浮基座。通常情况下,外?#30001;?#38271;炉中的温度在1000℃到2000℃之间,特别的在碳化硅外?#30001;?#38271;炉中,反应室被?#23588;?#23588;其指的是?#22411;?#26230;圆的基座经过电磁感应或者辐射?#23588;?#26469;升温,温度达到了1550℃到1750℃。随着晶圆在光伏、电子部件等技...
  • 一种低?#21450;?#35065;物密度SiC单晶的生长装置及生长方法与流程
    本发明属于半导体材料领域,具体涉及一种低?#21450;?#35065;物密度碳化硅单晶的装置及生长方法。作为第三代宽带隙半导体材料的一员,相对于常见Si和GaAs等半导体材料,碳化硅材料具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性,碳化硅材料是制备高温电子器件...
  • 一种双副室单晶硅?#37319;?#38271;炉及单晶硅生长方法与流程
    本发明涉及半导体,尤其是一种双副室单晶硅?#37319;?#38271;炉及单晶硅生长方法。晶体硅筒作为一种半导体靶材,一般用于制造集成电路、电子元件、动力电池的功能薄膜,目前硅筒状靶材的生长技术有两种:喷涂法和机?#23548;?#24037;法。其中喷涂法是目前普遍采用的方法,专利CN107557737A中提及一种制备管状靶材的...
  • 一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用与流程
    本发明属于热电材料与晶体生长,具体涉及一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用。热电材料(Thermoelectricmaterial)是一种可以实现热能和电能直接相互转化的材料,而能量转换效率一般由无量纲的ZT值表征,表达式为:其中S表示seebeck系数,σ表示电...
  • 碱式硼酸锌非线性光学晶体及其制备方法和用途与流程
    本发明涉及化学式为Zn2BO4H的碱式硼酸锌非线性光学晶体及制备方法和利用该单晶制作的光学器件。激光是一种方向性好,强度高的相干单色光源,广泛应用于军事、工业、医疗和科研的各个领域。受到激光晶体中激活离子种类的局限,固体激光器输出的激光波长大多集中在可见和近红外区。所以利用非线性光学晶体进...
  • 化合物铅硼氧碘和铅硼氧碘非线性光学晶体及制备方法和用途与流程
    本发明涉及一种化合物铅硼氧碘和铅硼氧碘非线性光学晶体及制备方法和用途,属于无机化学领域,也属于材料科学领域和光学领域。技术背景非线性光学及其晶体材料的发展与激光技术的发展密切相关。在激光技术中,直接利用激光晶体所能获得的激光波段有限,利用非线性光学晶体进行频?#39318;?#25442;,可以将全固态激光器输出的激光转换...
  • 一种雷管胶塞?#36828;?#35013;管机的制作方法
    本发明涉及雷管制造设备,具体来讲是一种雷管胶塞?#36828;?#35013;管机。雷管是爆破工程的主要起爆材料,它的作用是产生起爆能来引爆各种炸药及导爆索、传爆管。在雷管的制备过程中,需要将胶塞插入雷管管壳的口部,但是传统的胶塞填充方式大部分为手工操作,效率低下。为了解决上述问题,专利文件《一种导爆管雷管...
  • 本发明涉及二氧化碳致裂器活化剂,尤其是涉及一种二氧化碳致裂器活化剂用复合氧化剂及其制备方法。二氧化碳致裂器是将一定质量的液态二氧化碳灌装至致?#21387;埽?#20351;用发爆器快速激发活化剂,液态二氧化碳瞬间气化膨胀,并产生高压。高压气体?#26377;?#25918;器释放,作用在煤(岩)体上,以达到膨胀致裂岩石和煤层的目的...
  • 一种用于提高营养元素利用率的添加剂及其制备方法和多元素复合?#35270;?#27969;程
    本发明属于新型肥料,具体涉及一种用于提高营养元素利用率的添加剂及其制备方法和多元素复合肥。农业生产以提高农作物产量和?#20998;?#20026;主要的追求目标。由于多年种植,农耕田土壤中营养物质大量减少?#23545;?#19981;能满足农作物快速生长和高产量的需求。目前,通过向土壤中添加多种营养元素促进农作物的生长是主流趋势...
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