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信息存储应用技术
  • 提供坏列修复的存储器设备和操作其的方法与流程
    本发明涉及非?#36164;?#24615;存储器,且特别是涉及提供坏列修复的存储器设备和操作其的方法。用于在移动设备和消费电子设备中的数据存储的非?#36164;?#24615;存储器被广泛地采用。实际上,在单独的单元、一组单元、位线的一部分或甚至整个位线中的各种缺陷存在于非?#36164;?#24615;存储器中,且因此受影响的部分不能可靠地被使用。包含这样的缺...
  • 用于筛选Wafer中不良Die的测试系统和方法与流程
    本发明涉及固态硬盘,特别是涉及一种用于筛选wafer中不良die的测试系统、方法、计算机设备和存储介质。目前,wafer又称为晶圆是指硅半导体集成电?#20998;?#20316;所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。wafe...
  • 一种关于内存ADDDC功能的测试方法、系统及设备与流程
    本发明涉及计算机网络,更具体的说是涉及一种关于内存adddc功能的测试方法、系统及设备。adddc?#19988;?#31181;自适应双dram设备更正技术,用于管理ddr4dramdimm可能在产品使用寿命期间诱发的错误,adddc(mr)可以纠正连续的两个dram故障。如果该区域的第二个设备发生故障,...
  • 一种评估SSD总写入量的测试方法及计算机设备与流程
    本发明涉及固态硬盘(ssd),更具体地说?#19988;?#31181;评估ssd总写入量的测试方法及计算机设备。目前,在测量固态硬盘(solidstatedrive,ssd)整个生命周期的总数据写入量时,通常是参考jesd47i、jesd218b和jesd219a标准所述的方法。在上述三个标准所述的方法中...
  • 存储设备的驱动方法与流程
    本发明涉及一种存储设备的驱动方法,考虑到对包含nand闪存的存储设备产生的外部影响(热压力或放置时间或字线加载效果),在nand闪存阈值电压分布中,通过对位于多个阈值电压状态之间的原始读取基准电压的校正,从而适用于nand闪存的位错误最小化。一般?#27492;擔?#23384;储设备是在主存储器(例如,磁芯存储器...
  • 包括写入缓冲存储器的存储设备和操作存储设备的方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月29?#38556;?#38889;国知识产权局提?#22351;?#38889;国专利申请no.10-2018-0061134的优?#28909;ǎ?#20854;公开内容通过引用全文合并于此。本发明构思涉及一种半导体设备,并且更具体地,涉及一种包括非?#36164;?#24615;存储器的存储设备和操作该存储设备的方法。闪速存储器作为非?#36164;?#24615;存储...
  • 随机码产生器及相关随机码产生方法与流程
    本发明涉及一种随机码产生器及其相关控制方法,且特别涉及一种由非?#36164;?#24615;存储器(non-volatilememory)所组成的随机码产生器及相关随机码产生方法。物理不可复制技术(physicallyunclonablefunction,简称puf技术)?#19988;?#31181;创新的方式用来保护半导体芯片内部的数...
  • 静态随机存取存储器结构的制作方法
    本发明公开一种静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,sram),尤其涉及一?#33267;?#25509;穿隧磁阻(tunnelmagnetoresistance,tmr)结构的静态随机存取存储器。在一嵌入式静态随机存取存储器(embeddedstaticrandomaccessme...
  • 一种使用弓形字线的磁性随机存储器的制作方法
    本发明涉及一种存储装置,具体涉及一种使用弓形字线的磁性随机存储器,属于集成电路存储器芯片。mram?#19988;恢中?#30340;内存和存储技术,可以像sram/dram一样快速随机?#21015;矗?#36824;可以像flash闪存一样在断电后永久保留数据。它的经济性相当地好,单位容量占用的硅片面积比sram有很大的优势,比...
  • 半导体存储器装置的制作方法
    本发明的各种实施方式总体上涉及半导体存储器装置。具体地讲,实施方式涉及一种包括多个平面的半导体存储器装置。半导体存储器装置是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)和磷化铟(inp)的半导体实现的存储器装置,并且通常被分为?#36164;?#24615;存储器装置和非?#36164;?#24615;存储器装置。?#36164;?#24615;存储器装置是当...
  • 数据输出缓冲器和具有该数据输出缓冲器的存储装置的制作方法
    本发明的各个实施方式涉及数据输出缓冲器和具有该数据输出缓冲器的存储装置。具体地,这些实施方式涉及一种包括上拉主驱动器和下拉主驱动器的数据输出缓冲器。存储装置可以存储数据并且输出所存储的数据。存储装置可以是在电源被阻断或断开时丢失所存储的数据的?#36164;?#24615;存储装置,或者是即使在电源被阻断或断开时也...
  • 电压控制装置及存储器系统的制作方法
    本发明是有关于一种电压控制装置,特别?#19988;?#31181;应用在存储器系统中具有小体积特性的电压控制装置。为了满足电子装置对于低耗能的需求,集成电路(integratedcircuits,ic)的电力规格常重新设计成能够在低电压的环境中操作,以减少电能损耗。举例?#27492;擔?#36807;去电力规格为5v的集成电路现在常被减...
  • 印刷电路板和包括印刷电路板的存储装置的制作方法
    该专利申请要求于2018年5月29日在韩国知识产权局提?#22351;?#31532;10-2018-0061301号韩国专利申请的权益,其全部内容通过引用合并于此。?#32416;?#23454;施例涉及半导体存储器。例如,至少一些?#32416;?#23454;施例涉及一种印刷电路板和/或包括印刷电路板的存储装置。半导体存储器装置可以分类为在断电时丢失存储在其中...
  • 一种可结合的混合硬盘的制作方法
    本发明涉及硬盘装置,具体为一种可结合的混合硬盘。固态混合硬盘是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘,?#19988;?#22359;基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘,除了机械硬盘必备的碟片、马达、磁头等等,还内置了闪存颗粒,这颗颗粒将用户经常访问的数据进行储存,可以达到如固态硬盘效果的读取性能。现有的混合硬...
  • 大容量多维光存储?#21015;?#27979;试系统的制作方法
    本发明属于光电信息存储,具体涉及大容量多维光存储?#21015;?#27979;试系统。近几十年来,光存储技术的发展都沿着如何缩小激光波长和增大?#20302;?#30340;数值孔径进?#26657;?#20351;用短波长、高数值孔径物镜的蓝光光盘(blu-raydisc,bd),可在一张单面单层的12cm光盘上存放15gb~27gb的信息。但由于受到光...
  • 磁盘装置、其控制方法以及控制器与流程
    本申请享受以日本专利申请2017-54867号(申请日:2017年3月21日)为在先申请的优?#28909;ā?#26412;申请通过参照该在先申请而包含在先申请的全部内容。本发明的实施方式涉及磁盘装置、其控制方法以及控制器。从磁盘读取的编码数据输入到控制器,并存储于读取/写入通道内的工作存储器。读取/写入通道对工...
  • 一种DRAM列选择驱动电路的制作方法
    本发明涉及动态随机存储器的,具体为一种dram列选择信号的驱动电路及其降低漏电的方法。随着移动互联网和物联网的快速发展和应用,越来越多的应用运?#24615;?#20102;移动终端上,如智能手机、平板电脑?#21462;?#28982;而电池的发?#25925;?#32456;没有迎来突破性的进展,这些移动终端的使用时间越来越受到电池容量的限制。待机时间长...
  • 一种DRAM全局字线驱动电路的制作方法
    本发明涉及动态随机存储器的,具体为一种dram列选择信号的驱动电路及其降低漏电的方法。随着移动互联网和物联网的快速发展和应用,越来越多的应用运?#24615;?#20102;移动终端上,如智能手机、平板电脑?#21462;?#28982;而电池的发?#25925;?#32456;没有迎来突破性的进展,这些移动终端的使用时间越来越受到电池容量的限制。待机时间长...
  • 一种LPDRAM的电源门控电路的制作方法
    本实用新型涉及动态随机存储器的的,具体为一种lpdram的电源门控电路。低功耗动态随机存储器lpdram,是dram的一种,又称为mddr(也称为低功耗ddr,或lpddr),是美国联合电子设备工程委?#34987;幔╦edec)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移...
  • 一种多机无线同步分轨录音机的制作方法
    本实用新型涉及录音设备领域,具体而言,涉及一种多机无线同步分轨录音机。现有多轨录音设备应用在音乐现场演出的录音时,需要专业录音师进?#20889;?#37327;前置布线连接和后置拆线收纳工作,包括将各种话筒和音频线路信号集中通过多通道调音台接入到多轨录音机,以及在录音机中进行复?#30828;?#25968;设定和预调音的操作。这样?#28982;?#36153;...
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