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組合物和使用了該組合物的發光元件的制作方法

文檔序號:19351853發布日期:2019-12-06 21:29

本發明涉及組合物和使用了該組合物的發光元件。



背景技術:

有機電致發光元件等發光元件能夠適合地用于顯示器和照明的用途。作為在發光元件的發光層中可使用的發光材料,例如提出了含有下述式所示的化合物(h0)、金屬絡合物(b0)、金屬絡合物(g0)和金屬絡合物(r0)的組合物(專利文獻1)。

[化1]

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:國際公開第2015/159744號



技術實現要素:

發明要解決的問題

然而,使用該組合物制造的發光元件其亮度壽命并不一定充分。因此,本發明的目的在于提供對于制造亮度壽命優異的發光元件有用的組合物。

用于解決問題的手段

本發明提供以下[1]~[13]。

[1]一種組合物,其含有式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物。

[化2]

[式中,

環r1c、環r2c、環r3c和環r4c各自獨立地表示芳香族烴環或芳香族雜環,這些環可以具有取代基。在存在多個該取代基的情況下,這些取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。

rc表示碳原子、硅原子、鍺原子、錫原子或鉛原子。]

[化3]

[式中,

m1表示銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。

n1表示1以上的整數,n2表示0以上的整數。其中,在m1為銠原子或銥原子的情況下,n1+n2為3,在m1為鈀原子或鉑原子的情況下,n1+n2為2。

環r1a表示二唑環。

環r2表示芳香族烴環或芳香族雜環,這些環可以具有取代基。在存在多個該取代基的情況下,這些取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。在環r2存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。

e1、e2、e11a、e12a和e13a各自獨立地表示氮原子或碳原子。e1、e2、e11a、e12a和e13a存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。其中,e1和e2之中至少一方為碳原子。

r11a、r12a和r13a各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。r11a、r12a和r13a存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。

r11a與r12a任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。r12a與r13a任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。環r2任選具有的取代基與r11a任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。

e11a為氮原子的情況下,r11a可以存在也可以不存在。e12a為氮原子的情況下,r12a可以存在也可以不存在。e13a為氮原子的情況下,r13a可以存在也可以不存在。

a1-g1-a2表示陰離子性的二齒配體。a1和a2各自獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子,這些原子任選為構成環的原子。g1表示單鍵、或者與a1和a2一起構成二齒配體的原子團。a1-g1-a2存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。][化4]

[式中,

m2表示銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。

n3表示1以上的整數,n4表示0以上的整數。其中,在m2為銠原子或銥原子的情況下,n3+n4為3,在m2為鈀原子或鉑原子的情況下,n3+n4為2。

el表示碳原子或氮原子。el存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。

環l1表示六元的芳香族雜環,該環可以具有取代基。存在多個該取代基的情況下,這些取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。環l1存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。

環l2表示芳香族烴環或芳香族雜環,這些環可以具有取代基。存在多個該取代基的情況下,這些取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。環l2存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。

環l1任選具有的取代基與環l2任選具有的取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。

其中,環l1和環l2之中的至少1個具有式(1-t)所示的基團,在式(1-t)所示的基團存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。

a3-g2-a4表示陰離子性的二齒配體。a3和a4各自獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子,這些原子任選為構成環的原子。g2表示單鍵、或者與a3和a4一起構成二齒配體的原子團。a3-g2-a4存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。]

[化5]

-r1t(1-t)

[式中,r1t表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。]

[2]如[1]所述的組合物,其中,上述環r1c、上述環r2c、上述環r3c和上述環r4c之中的至少1個具有式(d-1)所示的基團。

[化6]

[式中,

環rd表示芳香族烴環或芳香族雜環,這些環可以具有取代基。存在多個該取代基的情況下,這些取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。

xd1和xd2各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、-n(rxd1)-所示的基團、或-c(rxd2)2-所示的基團。rxd1和rxd2各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。存在的多個rxd2可以相同也可以不同,任選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。

e1d、e2d和e3d各自獨立地表示氮原子或碳原子。

r1d、r2d和r3d各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。

e1d為氮原子的情況下,r1d不存在。e2d為氮原子的情況下,r2d不存在。e3d為氮原子的情況下,r3d不存在。

r1d與r2d任選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。r2d與r3d任選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。r1d與rxd1任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。r1d與rxd2任選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。環rd任選具有的取代基與rxd1任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。環rd任選具有的取代基與rxd2任選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。]

[3]如[2]所述的組合物,其中,上述式(d-1)所示的基團為式(d-2)所示的基團。

[化7]

[式中,

xd1、xd2、e1d、e2d、e3d、r1d、r2d和r3d表示與上文相同的含義。

e4d、e5d、e6d和e7d各自獨立地表示氮原子或碳原子。

r4d、r5d、r6d和r7d各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。

e4d為氮原子的情況下,r4d不存在。e5d為氮原子的情況下,r5d不存在。e6d為氮原子的情況下,r6d不存在。e7d為氮原子的情況下,r7d不存在。

r4d與r5d、r5d與r6d、r6d與r7d、r4d與rxd1、r4d與rxd2、r7d與rxd1、以及r7d與rxd2各對任選鍵合而與各對所鍵合的原子一起形成環。]

[4]如[1]~[3]中任一項所述的組合物,其中,上述式(c-1)所示的化合物為式(c-2)所示的化合物。

[化8]

[式中,

rc表示與上文相同的含義。

e11c、e12c、e13c、e14c、e21c、e22c、e23c、e24c、e31c、e32c、e33c、e34c、e41c、e42c、e43c和e44c各自獨立地表示氮原子或碳原子。

環r1c′、環r2c′、環r3c′和環r4c′各自獨立地表示苯環、吡啶環或二氮雜苯環。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。

e11c為氮原子的情況下,r11c不存在。e12c為氮原子的情況下,r12c不存在。e13c為氮原子的情況下,r13c不存在。e14c為氮原子的情況下,r14c不存在。e21c為氮原子的情況下,r21c不存在。e22c為氮原子的情況下,r22c不存在。e23c為氮原子的情況下,r23c不存在。e24c為氮原子的情況下,r24c不存在。e31c為氮原子的情況下,r31c不存在。e32c為氮原子的情況下,r32c不存在。e33c為氮原子的情況下,r33c不存在。e34c為氮原子的情況下,r34c不存在。e41c為氮原子的情況下,r41c不存在。e42c為氮原子的情況下,r42c不存在。e43c為氮原子的情況下,r43c不存在。e44c為氮原子的情況下,r44c不存在。

r11c與r12c、r12c與r13c、r13c與r14c、r14c與r34c、r34c與r33c、r33c與r32c、r32c與r31c、r31c與r41c、r41c與r42c、r42c與r43c、r43c與r44c、r44c與r24c、r24c與r23c、r23c與r22c、r22c與r21c、以及r21c與r11c各對任選鍵合而與各對所鍵合的碳原子一起形成環。]

[5]如[4]所述的組合物,其中,上述式(c-2)所示的化合物為式(c-3)所示的化合物。

[化9]

[式中,rc、r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c表示與上文相同的含義。]

[6]如[4]或[5]所述的組合物,其中,上述r12c為上述式(d-1)所示的基團。

[7]如[1]~[6]中任一項所述的組合物,其中,上述式(2)所示的金屬絡合物為式(2-b)所示的金屬絡合物。

[化10]

[式中,

m2、n3、n4和a3-g2-a4表示與上文相同的含義。

e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b各自獨立地表示氮原子或碳原子。e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。e11b為氮原子的情況下,r11b不存在。e12b為氮原子的情況下,r12b不存在。e13b為氮原子的情況下,r13b不存在。e14b為氮原子的情況下,r14b不存在。e21b為氮原子的情況下,r21b不存在。e22b為氮原子的情況下,r22b不存在。e23b為氮原子的情況下,r23b不存在。e24b為氮原子的情況下,r24b不存在。

r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b各自獨立地表示氫原子或上述式(1-t)所示的基團。r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。r11b與r12b、r12b與r13b、r13b與r14b、r11b與r21b、r21b與r22b、r22b與r23b、以及r23b與r24b各對任選鍵合而與各對所鍵合的碳原子一起形成環。其中,r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b之中的至少1個為上述式(1-t)所示的基團。

環l1b表示吡啶環或二氮雜苯環。

環l2b表示苯環、吡啶環或二氮雜苯環。]

[8]如[7]所述的組合物,其中,上述式(2-b)所示的金屬絡合物為式(2-b1)所示的金屬絡合物、式(2-b2)所示的金屬絡合物、式(2-b3)所示的金屬絡合物、式(2-b4)所示的金屬絡合物或式(2-b5)所示的金屬絡合物。

[化11]

[式中,

m2、n3、n4、r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b、r24b和a3-g2-a4表示與上文相同的含義。

n31和n32各自獨立地表示1以上的整數,n31+n32為2或3。在m2為銠原子或銥原子的情況下,n31+n32為3,在m2為鈀原子或鉑原子的情況下,n31+n32為2。

r15b、r16b、r17b和r18b各自獨立地表示氫原子或上述式(1-t)所示的基團。r15b、r16b、r17b和r18b存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。r15b與r16b、r16b與r17b、以及r17b與r18b各對任選鍵合而與各對所鍵合的原子一起形成環。

其中,在式(2-b1)和式(2-b3)中,r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b之中的至少1個為上述式(1-t)所示的基團,在式(2-b2)中,r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b之中的至少1個為上述式(1-t)所示的基團,在式(2-b4)中,r11b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b之中的至少1個為上述式(1-t)所示的基團,在式(2-b5)中,r11b、r12b、r21b、r22b、r23b和r24b之中的至少1個為上述式(1-t)所示的基團。]

[9]如[1]~[8]中任一項所述的組合物,其中,上述r1t為可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的環烷基、式(d-a)所示的基團、式(d-b)所示的基團或式(d-c)所示的基團。

[化12]

[式中,

mda1、mda2和mda3各自獨立地表示0以上的整數。

gda表示氮原子、芳香族烴基或雜環基,這些基團可以具有取代基。

arda1、arda2和arda3各自獨立地表示亞芳基或二價雜環基,這些基團可以具有取代基。arda1、arda2和arda3存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。

tda表示芳基或一價雜環基,這些基團可以具有取代基。存在的多個tda可以相同也可以不同。]

[化13]

[式中,

mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6和mda7各自獨立地表示0以上的整數。

gda表示氮原子、芳香族烴基或雜環基,這些基團可以具有取代基。存在的多個gda可以相同也可以不同。

arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6和arda7各自獨立地表示亞芳基或二價雜環基,這些基團可以具有取代基。arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6和arda7存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。

tda表示芳基或一價雜環基,這些基團可以具有取代基。存在的多個tda可以相同也可以不同。]

[化14]

[式中,

mda1表示0以上的整數。

arda1表示亞芳基或二價雜環基,這些基團可以具有取代基。arda1存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。

tda表示芳基或一價雜環基,這些基團可以具有取代基。]

[10]如[1]~[9]中任一項所述的組合物,其中,上述式(1)所示的金屬絡合物為式(1-a)所示的金屬絡合物。

[化15]

[式中,

m1、n1、n2、環r1a、e1、e11a、e12a、e13a、r11a、r12a、r13a和a1-g1-a2表示與上文相同的含義。

環r2a表示苯環、吡啶環或二氮雜苯環。

e21a、e22a、e23a和e24a各自獨立地表示氮原子或碳原子。e21a、e22a、e23a和e24a存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。e21a為氮原子的情況下,r21a不存在。e22a為氮原子的情況下,r22a不存在。e23a為氮原子的情況下,r23a不存在。e24a為氮原子的情況下,r24a不存在。

r21a、r22a、r23a和r24a各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。r21a、r22a、r23a和r24a存在多個的情況下,它們各自可以相同也可以不同。r21a與r22a、r22a與r23a、r23a與r24a、以及r11a與r21a任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環。]

[11]如[10]所述的組合物,其中,上述式(1-a)所示的金屬絡合物為式(1-a4)所示的金屬絡合物或式(1-a5)所示的金屬絡合物。

[化16]

[式中,m1、n1、n2、r11a、r12a、r13a、r21a、r22a、r23a、r24a和a1-g1-a2表示與上文相同的含義。]

[12]如[1]~[11]中任一項所述的組合物,其中,上述式(1)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長為380nm以上且小于495nm,

上述式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長為495nm以上且小于750nm。

[13]一種發光元件,其含有[1]~[12]中任一項所述的組合物。

發明效果

根據本發明,可以提供對于制造亮度壽命優異的發光元件有用的組合物。另外,根據本發明,可以提供含有該組合物的發光元件。

具體實施方式

以下,對于本發明的優選實施方式進行詳細說明。

<共通的術語的說明>

在本說明書中共通使用的術語只要沒有特別記載就是以下的含義。

me表示甲基,et表示乙基,bu表示丁基,i-pr表示異丙基,t-bu表示叔丁基。

氫原子也可以為氘原子,還可以為氕原子。

表示金屬絡合物的式中,表示與中心金屬的鍵合的實線是指共價鍵或配位鍵。

“高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯換算的數均分子量為1×103~1×108的聚合物。

“低分子化合物”是指沒有分子量分布且分子量為1×104以下的化合物。

“結構單元”是指在高分子化合物中存在有1個以上的單元。

“烷基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烷基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為1~50,優選為3~30,更優選為4~20。支鏈的烷基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~50,優選為3~30,更優選為4~20。

烷基可以具有取代基,烷基例如可以舉出:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及這些基團中的氫原子被環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成的基團(例如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基)。

“環烷基”的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~50,優選為3~30,更優選為4~20。

環烷基可以具有取代基,環烷基例如可以舉出環己基、環己基甲基、環己基乙基。

“芳基”是指從芳香族烴除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子后余下的原子團。芳基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為6~60,優選為6~20,更優選為6~10。

芳基可以具有取代基,芳基例如可以舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基以及這些基團中的氫原子被烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成的基團。

“烷氧基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烷氧基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為1~40,優選為4~10。支鏈的烷氧基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~40,優選為4~10。

烷氧基可以具有取代基,烷氧基例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及這些基團中的氫原子被環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成的基團。

“環烷氧基”的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~40,優選為4~10。

環烷氧基可以具有取代基,環烷氧基例如可以舉出環己氧基。

“芳氧基”的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為6~60,優選為6~48。

芳氧基可以具有取代基,芳氧基例如可以舉出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、以及這些基團中的氫原子被烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代而成的基團。

“p價雜環基”(p表示1以上的整數)是指,從雜環式化合物除去與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個氫原子后余下的原子團。p價雜環基之中,優選為從芳香族雜環式化合物除去與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個氫原子后余下的原子團即“p價芳香族雜環基”。

“芳香族雜環式化合物”是指,噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜環戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環戊二烯等雜環自身表現芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼雜環戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等雜環自身雖然不表現芳香性但是在雜環上稠合有芳環的化合物。

一價雜環基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為2~60,優選為4~20。

一價雜環基可以具有取代基,一價雜環基例如可以舉出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基(キノリニル基)、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及這些基團中的氫原子被烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代而成的基團。

“鹵素原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

“氨基”可以具有取代基,氨基優選為取代氨基。氨基所具有的取代基優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基。

作為取代氨基,例如可以舉出:二烷基氨基、二環烷基氨基和二芳基氨基。

作為氨基,例如可以舉出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、雙(4-甲基苯基)氨基、雙(4-叔丁基苯基)氨基、雙(3,5-二叔丁基苯基)氨基。

“烯基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烯基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為2~30,優選為3~20。支鏈的烯基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~30,優選為4~20。

“環烯基”的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為3~30,優選為4~20。

烯基和環烯基可以具有取代基,烯基和環烯基例如可以舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及這些基團具有取代基的基團。

“炔基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。炔基的碳原子數不包括取代基的碳原子在內,通常為2~20,優選為3~20。支鏈的炔基的碳原子數不包括取代基的碳原子在內,通常為4~30,優選為4~20。

“環炔基”的碳原子數不包括取代基的碳原子在內,通常為4~30,優選為4~20。

炔基和環炔基可以具有取代基,炔基和環炔基例如可以舉出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及這些基團具有取代基的基團。

“亞芳基”是指從芳香族烴除去2個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子后余下的原子團。亞芳基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為6~60,優選為6~30,更優選為6~18。

亞芳基可以具有取代基,亞芳基例如可以舉出亞苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基、以及這些基團具有取代基的基團,優選為式(a-1)~式(a-20)所示的基團。亞芳基包括多個這些基團鍵合而成的基團。

[化17]

[化18]

[化19]

[化20]

[式中,r和ra各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基。存在的多個r和ra各自可以相同也可以不同,ra彼此任選相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環。]

二價雜環基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為2~60,優選為3~20,更優選為4~15。

二價雜環基可以具有取代基,二價雜環基例如可以舉出從吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中2個氫原子后的二價基團,優選為式(aa-1)~式(aa-34)所示的基團。二價雜環基包括多個這些基團鍵合而成的基團。

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

[化27]

[式中,r和ra表示與上文相同的含義。]

“交聯基”是指通過供于加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可見光照射、紅外線照射、自由基反應等能夠生成新的鍵的基團,優選為由交聯基a組的式(xl-1)~式(xl-17)所示的交聯基。

(交聯基a組)

[化28]

[式中,rxl表示亞甲基、氧原子或硫原子,nxl表示0~5的整數。在rxl存在有多個的情況下,它們可以相同也可以不同,在nxl存在有多個的情況下,它們可以相同也可以不同。*1表示鍵合位置。這些交聯基團可以具有取代基。]

“取代基”表示鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基可以是交聯基。

<組合物>

本發明的組合物是含有上述式(c-1)所示的化合物、上述式(1)所示的金屬絡合物和上述式(2)所示的金屬絡合物的組合物。

在本發明的組合物中,對于式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物,各自可以僅含有1種,也可以含有2種以上。

[式(c-1)所示的化合物]

式(c-1)所示的化合物的分子量優選為2×102~5×104,更優選為2×102~5×103,進一步優選為3×102~3×103,特別優選為4×102~1×103

環r1c、環r2c、環r3c和環r4c所示的芳香族烴環的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為6~60,優選為6~30,更優選為6~18。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c所示的芳香族烴環,例如可以舉出:苯環、萘環、蒽環、茚環、芴環、螺二芴環、菲環、二氫菲環、芘環、環和三亞苯環,優選為苯環、萘環、蒽環、芴環、螺二芴環、菲環或二氫菲環,更優選為苯環、萘環、芴環或螺二芴環,進一步優選為苯環,這些環可以具有取代基。

環r1c、環r2c、環r3c和環r4c所示的芳香族雜環的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為2~60,優選為3~30,更優選為4~15。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c所示的芳香族雜環,例如可以舉出:吡咯環、二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、噁二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并噻咯環、二苯并磷雜環戊二烯環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環和二氫吩嗪環,優選為吡啶環、二氮雜苯環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環或二氫吩嗪環,更優選為吡啶環、二氮雜苯環、氮雜萘環、二氮雜萘環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或咔唑環,進一步優選為吡啶環或二氮雜苯環,這些環可以具有取代基。

由于使含有本發明的組合物的發光元件(以下稱為“本發明的發光元件”)的亮度壽命更優異,優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少1個為芳香族烴環,更優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少2個為芳香族烴環,進一步優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c均為芳香族烴環,特別優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c均為苯環,這些環可以具有取代基。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基,優選為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,更優選為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,進一步優選為芳基或一價雜環基,特別優選為一價雜環基,這些基團可以進一步具有取代基。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為6~60,優選為6~40,更優選為6~25。

關于作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基,例如可以舉出從苯環、萘環、蒽環、茚環、芴環、螺二芴環、菲環、二氫菲環、芘環、環、三亞苯環或這些環稠合而成的環除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子而成的基團,優選為從苯環、萘環、芴環、螺二芴環、菲環、二氫菲環或三亞苯環除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子而成的基團,更優選為從苯環、芴環或螺二芴環除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子而成的基團,進一步優選為從芴環或螺二芴環除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子而成的基團,這些基團可以進一步具有取代基。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的一價雜環基的碳原子數不包括取代基的碳原子數在內,通常為2~60,優選為3~30,更優選為3~15。

關于作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的一價雜環基,例如可以舉出從吡咯環、二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、噁二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并噻咯環、二苯并磷雜環戊二烯環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環、二氫吩嗪環、或者芳環稠合于這些環而成的環除去1個與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子而成的基團,優選為從吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環或二氫吩嗪環除去1個與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子而成的基團,更優選為從吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環或二氫吩嗪環除去1個與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子而成的基團,進一步優選為從二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、二氫吖啶環或二氫吩嗪環除去1個與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子而成的基團,特別優選為從二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環或二氫吖啶環除去1個與構成環的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子而成的基團,尤其優選為從二苯并呋喃環或二苯并噻吩環除去1個與構成環的碳原子直接鍵合的氫原子而成的基團,這些環可以具有取代基。

在作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的取代氨基中,作為氨基具有的取代基,優選為芳基或一價雜環基,更優選為芳基,這些基團可以進一步具有取代基。作為氨基具有的取代基的芳基的例子和優選范圍,與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基的例子和優選范圍相同。作為氨基具有的取代基的一價雜環基的例子和優選范圍,與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的一價雜環基的例子和優選范圍相同。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基可以進一步具有的取代基,優選為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代氨基或鹵素原子,更優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,進一步優選為烷基或芳基,特別優選為烷基,這些基團可以進一步具有取代基,但優選這些基團不進一步具有取代基。

作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,rc優選為碳原子、硅原子或鍺原子,更優選為碳原子或硅原子,進一步優選為碳原子。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少1個具有芳基或一價雜環基,更優選環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少1個具有式(d-1)所示的基團,這些基團可以具有取代基。

環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少1個具有芳基或一價雜環基時,環r1c、環r2c、環r3c和環r4c具有的芳基和一價雜環基的合計個數優選為1~5個,更優選為1~3個,進一步優選為1或2個,特別優選為1個。

環r1c、環r2c、環r3c和環r4c之中的至少1個具有式(d-1)所示的基團時,環r1c、環r2c、環r3c和環r4c具有的式(d-1)所示的基團的合計個數優選為1~5個,更優選為1~3個,進一步優選為1或2個,特別優選為1個。

·式(d-1)所示的基團

環rd所示的芳香族烴環和芳香族雜環的例子和優選范圍分別與環r1c、環r2c、環r3c和環r4c所示的芳香族烴環和芳香族雜環的例子和優選范圍相同。

環rd任選具有的取代基的例子和優選范圍,與環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的例子和優選范圍相同。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,環rd優選為芳香族烴環,更優選為苯環。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,xd1和xd2優選為單鍵、氧原子、硫原子、或-c(rxd2)2-所示的基團,更優選為單鍵、氧原子或硫原子,進一步優選為單鍵、或硫原子,特別優選為xd1和xd2中一方為單鍵而另一方為硫原子。

優選xd1和xd2之中的至少一方為單鍵,更優選xd2為單鍵。

rxd1優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基或一價雜環基,進一步優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

rxd2優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為烷基或芳基,這些基團可以具有取代基。

rxd1和rxd2所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

xd1和xd2所示的由-c(rxd2)2-所示的基團中的2個rxd2的組合優選為兩方為烷基或環烷基、兩方為芳基、兩方為一價雜環基、或者一方為烷基或環烷基而另一方為芳基或一價雜環基,更優選為兩方為芳基、或者一方為烷基或環烷基而另一方為芳基,進一步優選為兩方為芳基,這些基團可以具有取代基。存在的2個rxd2優選相互鍵合而與各自所鍵合的碳原子一起形成環。rxd2形成環時,作為-c(rxd2)2-所示的基團,優選為式(y-a1)-式(y-a5)所示的基團,更優選為式(y-a4)所示的基團,這些基團可以具有取代基。

[化29]

rxd1和rxd2任選具有的取代基的例子和優選范圍,與環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的例子和優選范圍相同。

e1d、e2d和e3d優選為碳原子。

r1d、r2d和r3d優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,更優選為氫原子、烷基或芳基,進一步優選為氫原子,這些基團可以進一步具有取代基。

r1d、r2d和r3d所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

r1d、r2d和r3d任選具有的取代基的例子和優選范圍,與rxd1和rxd2任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

r1d與r2d、r2d與r3d、r1d與rxd1、r1d與rxd2、rxd1與環rd任選具有的取代基、以及rxd2與環rd任選具有的取代基各對任選鍵合而與各對所鍵合的碳原子一起形成環,但優選不形成環。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(d-1)所示的基團優選為式(d-2)所示的基團。

e4d、e5d、e6d和e7d優選為碳原子。

r4d、r5d、r6d和r7d的例子和優選范圍,與r1d、r2d和r3d的例子和優選范圍相同。

r4d、r5d、r6d和r7d任選具有的取代基的例子和優選范圍,與r1d、r2d和r3d任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

r4d與r5d、r5d與r6d、r6d與r7d各對任選鍵合而與各對所鍵合的碳原子一起形成環,但優選不形成環。

式(c-2)所示的化合物

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(c-1)所示的化合物優選為式(c-2)所示的化合物。

e11c、e12c、e13c、e14c、e21c、e22c、e23c、e24c、e31c、e32c、e33c、e34c、e41c、e42c、e43c和e44c優選為碳原子。

環r1c′、環r2c′、環r3c′和環r4c′優選為苯環。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,更優選為氫原子、芳基或一價雜環基,進一步優選為氫原子或式(d-1)所示的基團,這些基團可以進一步具有取代基。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c之中的至少1個優選為芳基或一價雜環基,更優選為式(d-1)所示的基團,這些基團可以進一步具有取代基。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c任選具有的取代基的例子和優選范圍,與環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的例子和優選范圍相同。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c之中的至少1個為芳基或一價雜環基時,r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c為芳基或一價雜環基的合計個數優選為1~5個,更優選為1~3個,進一步優選為1或2個,特別優選為1個。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團時,r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c為式(d-1)所示的基團的合計個數優選為1~5個,更優選為1~3個,進一步優選為1或2個,特別優選為1個。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c之中的至少1個為芳基或一價雜環基時,優選的是r11c、r12c、r14c、r21c、r22c、r24c、r31c、r32c、r34c、r41c、r42c和r44c之中的至少1個為芳基或一價雜環基,更優選的是r11c、r12c、r21c、r22c、r31c、r32c、r41c和r42c之中的至少1個為芳基或一價雜環基,進一步優選的是r11c、r12c、r21c和r22c之中的至少1個為芳基或一價雜環基,特別優選的是r12c和r22c之中的至少1個為芳基或一價雜環基,這些基團可以具有取代基。

r11c、r12c、r13c、r14c、r21c、r22c、r23c、r24c、r31c、r32c、r33c、r34c、r41c、r42c、r43c和r44c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團時,優選的是r11c、r12c、r14c、r21c、r22c、r24c、r31c、r32c、r34c、r41c、r42c和r44c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團,更優選的是r11c、r12c、r21c、r22c、r31c、r32c、r41c和r42c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團,進一步優選的是r11c、r12c、r21c和r22c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團,特別優選的是r11c和r12c之中的至少1個為式(d-1)所示的基團,尤其優選的是r12c為式(d-1)所示的基團。

r11c與r12c、r12c與r13c、r13c與r14c、r14c與r34c、r34c與r33c、r33c與r32c、r32c與r31c、r31c與r41c、r41c與r42c、r42c與r43c、r43c與r44c、r44c與r24c、r24c與r23c、r23c與r22c、r22c與r21c、以及r21c與r11c各對任選鍵合而與各對所鍵合的碳原子一起形成環,但優選不形成環。

式(c-3)所示的化合物

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(c-2)所示的化合物優選為式(c-3)所示的化合物。

作為式(c-1)所示的化合物,例如可以舉出式(c-101)~式(c-137)所示的化合物。

[化30]

[化31]

[化32]

[化33]

[化34]

[化35]

[化36]

[化37]

[式中,x表示氧原子或硫原子。x存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同。]

x優選為硫原子。

式(c-1)所示的化合物例如能夠從aldrich、luminescencetechnologycorp.獲得。此外,式(c-1)所示的化合物例如可以依據在國際公開2014/023388號、國際公開2013/045408號、國際公開2013/045410號、國際公開2013/045411號、國際公開2012/048820號、國際公開2012/048819號、國際公開2011/006574號、“organicelectronicsvol.14、902-908(2013)”中記載的方法進行合成。

在本發明的組合物中,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(c-1)所示的化合物優選為具有選自空穴注入性、空穴傳輸性、電子注入性和電子傳輸性中的至少1個功能的主體材料。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,在本發明的組合物中,式(c-1)所示的化合物具有的最低激發三重態狀態(t1)優選為與式(1)所示的金屬絡合物具有的t1同等的能級、或者比其更高的能級,更優選為比其更高的能級。

在本發明的組合物中,式(c-1)所示的化合物優選為在能夠溶解式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的溶劑中顯示溶解性的化合物,這是因為能夠利用溶液涂布工藝制作本發明的發光元件。

[式(1)所示的金屬絡合物]

式(1)所示的金屬絡合物通常是指在室溫(25℃)顯示磷光發光性的金屬絡合物,優選為在室溫顯示來自三重態激發態的發光的金屬絡合物。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,m1優選為銥原子或鉑原子,更優選為銥原子。

m1為銠原子或銥原子的情況下,n1優選為2或3,更優選為3。

m1為鈀原子或鉑原子的情況下,n1優選為2。

e1和e2優選為碳原子。

環r1a優選為e11a為氮原子的咪唑環、或e12a為氮原子的咪唑環,更優選為e11a為氮原子的咪唑環。

在e11a為氮原子且r11a存在時,r11a優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基或一價雜環基,進一步優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

e11a為碳原子時,r11a優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,更優選為氫原子、烷基、環烷基或芳基,進一步優選為氫原子、烷基或環烷基,特別優選為氫原子,這些基團可以具有取代基。

在e12a為氮原子且r12a存在時,r12a優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基或一價雜環基,進一步優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

e12a為碳原子時,r12a優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,更優選為氫原子、烷基、環烷基或芳基,進一步優選為氫原子、烷基或環烷基,特別優選為氫原子,這些基團可以具有取代基。

在e13a為氮原子且r13a存在時,r13a優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基或一價雜環基,進一步優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

e13a為碳原子時,r13a優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,更優選為氫原子、烷基、環烷基或芳基,進一步優選為氫原子、烷基或環烷基,特別優選為氫原子,這些基團可以具有取代基。

作為r11a、r12a和r13a所示的芳基,優選為苯基、萘基、蒽基、菲基、二氫菲基、芴基或芘基,更優選為苯基、萘基或芴基,進一步優選為苯基,這些基團可以具有取代基。

作為r11a、r12a和r13a所示的一價雜環基,優選為吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、吩噁嗪基或吩噻嗪基,更優選為吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯并呋喃基、咔唑基、氮雜咔唑基或二氮雜咔唑基,進一步優選為吡啶基、嘧啶基或三嗪基,這些基團可以具有取代基。

在r11a、r12a和r13a所示的取代氨基中,作為氨基具有的取代基,優選為芳基或一價雜環基,更優選為芳基,這些基團可以進一步具有取代基。作為氨基具有的取代基的芳基的例子和優選范圍,與r11a、r12a和r13a所示的芳基的例子和優選范圍相同。作為氨基具有的取代基的一價雜環基的例子和優選范圍,與r11a、r12a和r13a所示的一價雜環基的例子和優選范圍相同。

作為r11a、r12a和r13a任選具有的取代基,優選為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基、烷氧基、環烷氧基或取代氨基,更優選為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,進一步優選為烷基、環烷基或芳基,特別優選為烷基或環烷基,這些基團可以進一步具有取代基,但優選這些基團不進一步具有取代基。

作為r11a、r12a和r13a任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍,分別與作為環r1c、環r2c、環r3c和環r4c任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,r11a、r12a和r13a所示的芳基、一價雜環基或取代氨基優選為式(d-a)、式(d-b)或式(d-c)所示的基團,更優選為式(d-a)或式(d-c)所示的基團,進一步優選為式(d-c)所示的基團。

·式(d-a)、(d-b)或(d-c)所示的基團

mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6和mda7通常為10以下的整數,優選為5以下的整數,更優選為2以下的整數,進一步優選為0或1。優選的是mda2、mda3、mda4、mda5、mda6和mda7為同一整數,更優選的是mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6和mda7為同一整數。

gda優選為芳香族烴基或雜環基,更優選為從苯環、吡啶環、嘧啶環、三嗪環或咔唑環除去3個與構成環的碳原子或氮原子直接鍵合的氫原子而成的基團,這些基團可以具有取代基。

作為gda任選具有的取代基,優選為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基,更優選為烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基,進一步優選為烷基或環烷基,這些基團可以進一步具有取代基,但優選這些基團不進一步具有取代基。

gda優選為式(gda-11)~式(gda-15)所示的基團,更優選為式(gda-11)~式(gda-14)所示的基團,進一步優選為式(gda-11)或式(gda-14)所示的基團,特別是式(gda-11)所示的基團。

[化38]

[式中,

*表示與式(d-a)中的arda1、式(d-b)中的arda1、式(d-b)中的arda2或式(d-b)中的arda3的鍵合。

**表示與式(d-a)中的arda2、式(d-b)中的arda2、式(d-b)中的arda4或式(d-b)中的arda6的鍵合。

***表示與式(d-a)中的arda3、式(d-b)中的arda3、式(d-b)中的arda5或式(d-b)中的arda7的鍵合。

rda表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基,這些基團可以進一步具有取代基。rda存在多個時,它們可以相同也可以不同。]

rda優選為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基,更優選為氫原子、烷基或環烷基,這些基團可以具有取代基。

arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6和arda7優選為亞苯基、芴二基或咔唑二基,更優選為式(arda-1)~式(arda-5)所示的基團,進一步優選為式(arda-1)~式(arda-3)所示的基團,特別優選為式(arda-1)所示的基團,這些基團可以具有取代基。

[化39]

[式中,

rda表示與上文相同的含義。

rdb表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,這些基團可以具有取代基。rdb存在多個時,它們可以相同也可以不同。]

rdb優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基或一價雜環基,進一步優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6、arda7和rdb任選具有的取代基的例子和優選范圍,與gda任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

tda優選為式(tda-1)~式(tda-3)所示的基團,更優選為式(tda-1)所示的基團。

[化40]

[式中,rda和rdb表示與上文相同的含義。]

式(d-a)所示的基團優選為式(d-a1)~式(d-a5)所示的基團,更優選為式(d-a1)、式(d-a4)或式(d-a5)所示的基團,進一步優選為式(d-a1)所示的基團。

[化41]

[式中,

rp1、rp2、rp3和rp4各自獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或氟原子。rp1、rp2和rp4存在多個時,這些各自可以相同也可以不同。

np1表示0~5的整數,np2表示0~3的整數,np3表示0或1,np4表示0~4的整數。存在的多個np1可以相同也可以不同。]

式(d-b)所示的基團優選為式(d-b1)~式(d-b6)所示的基團,更優選為式(d-b1)~式(d-b3)或式(d-b5)所示的基團,進一步優選為式(d-b1)所示的基團。

[化42]

[化43]

[式中,

rp1、rp2、rp3和rp4各自獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或氟原子。rp1、rp2和rp4存在多個時,它們各自可以相同也可以不同。

np1表示0~5的整數,np2表示0~3的整數,np3表示0或1,np4表示0~4的整數。存在的多個np1和np2各自可以相同也可以不同。]

式(d-c)所示的基團優選為式(d-c1)~式(d-c4)所示的基團,更優選為式(d-c1)或式(d-c2)所示的基團,進一步優選為式(d-c2)所示的基團。

[化44]

[式中,

rp4、rp5和rp6各自獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或氟原子。rp4、rp5和rp6存在多個時,這些各自可以相同也可以不同。

np4表示0~4的整數,np5表示0~5的整數,np6表示0~5的整數。]

np1優選為0~2的整數,更優選為0或1。np2優選為0或1,更優選為0。np3優選為0。np4優選為0~2的整數,更優選為0。np5優選為0~3的整數,更優選為0或1。np6優選為0~2的整數,更優選為0或1。

作為rp1、rp2、rp3、rp4、rp5和rp6所示的烷基或環烷基,優選為甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基、2-乙基己基、環己基或叔辛基。

作為rp1、rp2、rp3、rp4、rp5和rp6所示的烷氧基或環烷氧基,優選為甲氧基、2-乙基己氧基或環己基氧基。

rp1、rp2、rp3、rp4、rp5和rp6優選為可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的環烷基,更優選為可以具有取代基的烷基,進一步優選為甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基、2-乙基己基或叔辛基。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,選自由r11a、r12a和r13a組成的組中的至少1個優選為可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的一價雜環基,更優選為可以具有取代基的芳基,進一步優選為式(d-a1)、式(d-a4)、式(d-a5)、式(d-b1)~式(d-b3)或式(d-c1)~式(d-c4)所示的基團,特別優選為式(d-c1)~式(d-c4)所示的基團,尤其優選為式(d-c1)或式(d-c2)所示的基團。

選自由r11a、r12a和r13a組成的組中的至少1個為可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的一價雜環基時,優選r11a為可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的一價雜環基,更優選r11a為可以具有取代基的芳基。

由于使式(1)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長成為短波長,優選r11a與r12a、r12a與r13a、以及環r2任選具有的取代基與r11a并不發生如下情況,即:各對鍵合并與各對所鍵合的原子一起形成環。

環r2優選為五元或六元的芳香族烴環、或者五元或六元的芳香族雜環,更優選為六元的芳香族烴環或六元的芳香族雜環,進一步優選為六元的芳香族烴環,這些環可以具有取代基。其中,環r2為六元的芳香族雜環時,e2優選為碳原子。

作為環r2,例如可以舉出苯環、萘環、芴環、菲環、茚環、吡啶環、二氮雜苯環和三嗪環,優選為苯環、萘環、芴環、吡啶環或二氮雜苯環,更優選為苯環、吡啶環或二氮雜苯環,進一步優選為苯環,這些環可以具有取代基。

作為環r2任選具有的取代基,優選為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代氨基或氟原子,更優選為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,進一步優選為烷基、或者式(d-a)、(d-b)或(d-c)所示的基團,特別優選為式(d-c)所示的基團,這些基團可以進一步具有取代基。

作為環r2任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與r11a、r12a和r13a所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

環r2任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的例子和優選范圍,與r11a、r12a和r13a任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

·陰離子性的二齒配體

作為a1-g1-a2所示的陰離子性的二齒配體,例如可以舉出下述式所示的配體。其中,a1-g1-a2所示的陰離子性的二齒配體與以后綴n1定義其數量的配體不同。

[化45]

[化46]

[式中,

*表示與m1鍵合的部位。

rl1表示氫原子、烷基、環烷基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。存在的多個rl1可以相同也可以不同。

rl2表示烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或鹵素原子,這些基團可以具有取代基。]

rl1優選為氫原子、烷基、環烷基或氟原子,更優選為氫原子或烷基,這些基團可以具有取代基。

rl2優選為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基,更優選為芳基,這些基團可以具有取代基。

式(1-a)所示的金屬絡合物

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(1)所示的金屬絡合物優選為式(1-a)所示的金屬絡合物。

環r2a為吡啶環時,優選為e21a為氮原子的吡啶環、e22a為氮原子的吡啶環、或者e23a為氮原子的吡啶環,更優選為e22a為氮原子的吡啶環。

環r2a為二氮雜苯環時,優選為e21a和e23a為氮原子的嘧啶環、或者e22a和e24a為氮原子的嘧啶環,更優選為e22a和e24a為氮原子的嘧啶環。

環r2a優選為苯環。

r21a、r22a、r23a和r24a為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代氨基或氟原子,更優選為氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,進一步優選為氫原子、烷基、或者式(d-a)、(d-b)或(d-c)所示的基團,特別優選為氫原子、烷基或式(d-c)所示的基團,尤其優選為氫原子,這些基團可以具有取代基。

r21a、r22a、r23a和r24a所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與作為環r2任選具有的取代基的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

r21a、r22a、r23a和r24a任選具有的取代基的例子和優選范圍,與環r2任選具有的取代基可以進一步具有的取代基的例子和優選范圍相同。

優選的是,r21a與r22a、r22a與r23a、r23a與r24a、以及r11a與r21a并不發生相互鍵合并與各對所鍵合的原子一起形成環。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(1-a)所示的金屬絡合物優選為式(1-a4)所示的金屬絡合物或式(1-a5)所示的金屬絡合物,更優選為式(1-a4)所示的金屬絡合物。

作為式(1)所示的金屬絡合物,例如可以舉出下述式所示的金屬絡合物。

[化47]

[化48]

[化49]

[化50]

式(1)所示的金屬絡合物例如能夠從aldrich、luminescencetechnologycorp.、americandyesource獲得。此外,式(1)所示的金屬絡合物例如可以依據國際公開第2006/121811號、國際公開第2007/097153號、日本特開2013-048190號公報、日本特開2015-174824號公報中記載的方法進行合成。

從調整本發明的發光元件的發光色(尤其調整發光色為白色)的觀點出發,式(1)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長通常為380nm以上且小于495nm,優選為400nm以上且490nm以下,更優選為420nm以上且480nm以下,進一步優選為450nm以上且475nm以下。

在本發明的組合物中,將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,式(1)所示的金屬絡合物的含量通常為0.01~99質量份,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,優選為0.1~80質量份,更優選為1~65質量份,進一步優選為5~50質量份,特別優選為10~30質量份。

<式(2)所示的金屬絡合物>

式(2)所示的金屬絡合物通常為在室溫(25℃)顯示磷光發光性的金屬絡合物,優選為在室溫顯示來自三重態激發態的發光的金屬絡合物。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,m2優選為銥原子或鉑原子,更優選為銥原子。

m2為銠原子或銥原子的情況下,n3優選為2或3,更優選為3。

m2為鈀原子或鉑原子的情況下,n3優選為2。

el優選為碳原子。

環l1優選為具有1個以上且4個以下的氮原子作為構成原子的六元的芳香族雜環,更優選為具有1個以上且2個以下的氮原子作為構成原子的六元的芳香族雜環,這些環可以具有取代基。

作為環l1,例如可以舉出吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環和三氮雜萘環,優選為吡啶環、二氮雜苯環、氮雜萘環或二氮雜萘環,更優選為吡啶環、喹啉環或異喹啉環,進一步優選為吡啶環或異喹啉環,這些環可以具有取代基。

環l2的例子和優選范圍,與環r2的例子和優選范圍相同。其中,環l2為六元的芳香族雜環時,el為碳原子。

“環l1和環l2之中至少1個具有式(1-t)所示的基團”是指,構成環l1和環l2的原子(優選為碳原子或氮原子)中的至少1個上直接鍵合有式(1-t)所示的基團。在式(2)所示的金屬絡合物中,環l1和環l2存在多個的情況下,存在的多個環l1和環l2之中至少1個環具有式(1-t)所示的基團即可,但由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,優選存在的多個環l1均具有式(1-t)所示的基團、存在的多個環l2均具有式(1-t)所示的基團、或者存在的多個環l1和環l2均具有式(1-t)所示的基團,更優選存在的多個環l1均具有式(1-t)所示的基團、或者存在的多個環l2均具有式(1-t)所示的基團。

在式(2)所示的金屬絡合物中,環l1和環l2之中的至少1個具有的式(1-t)所示的基團的個數通常為1個~5個,由于可以容易地合成式(2)所示的金屬絡合物,優選為1個~3個,更優選為1個或2個,進一步優選為1個。

在式(2)所示的金屬絡合物中,m2為銠原子或銥原子的情況下,環l1和環l2具有的式(1-t)所示的基團的合計個數通常為1個~30個,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,優選為1個~18個,更優選為2個~12個,進一步優選為3個~6個。

在式(2)所示的金屬絡合物中,m2為鈀原子或鉑原子的情況下,環l1和環l2具有的式(1-t)所示的基團的合計個數通常為1個~20個,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,優選為1個~12個,更優選為1個~8個,進一步優選為2個~4個。

作為環l1和環l2任選具有的取代基(是式(1-t)所示的基團以外的取代基,下同),優選為氰基、烯基或環烯基,這些基團可以進一步具有取代基。

環l1任選具有的取代基存在多個的情況下,它們任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環,但優選不形成環。

環l2任選具有的取代基存在多個的情況下,它們任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環,但優選不形成環。

環l1任選具有的取代基與環l2任選具有的取代基任選相互鍵合而與各自所鍵合的原子一起形成環,但優選不形成環。

a3-g2-a4所示的陰離子性的二齒配體的例子和優選范圍,與a1-g1-a2所示的陰離子性的二齒配體的例子和優選范圍相同。需要說明的是,在a3-g2-a4所示的陰離子性的二齒配體中,上述式中的*表示與m2鍵合的部位。其中,a3-g2-a4所示的陰離子性的二齒配體與以后綴n3規定其數量的配體不同。

·式(1-t)所示的基團

r1t所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍分別與r11a、r12a和r13a所示的芳基、一價雜環基和取代氨基的例子和優選范圍相同。

r1t任選具有的取代基的例子和優選范圍,與r11a、r12a和r13a任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,r1t優選為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代氨基或氟原子,更優選為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代氨基,進一步優選為烷基、或者式(d-a)、式(d-b)或式(d-c)所示的基團,特別優選為烷基、或者式(d-a)或式(d-b)所示的基團,尤其優選為烷基、或者式(d-a)所示的基團,尤其更優選為式(d-a)所示的基團,這些基團可以具有取代基。

在r1t所示的由式(d-a)和式(d-b)所示的基團中,gda優選為式(gda-11)~式(gda-15)所示的基團,更優選為式(gda-11)~式(gda-14)所示的基團,進一步優選為式(gda-11)或式(gda-14)所示的基團。

在r1t所示的由式(d-a)、式(d-b)和式(d-c)所示的基團中,arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6和arda7優選為亞苯基、芴二基或咔唑二基,更優選為式(arda-1)~(arda-5)所示的基團,進一步優選為式(arda-1)~式(arda-3)所示的基團,特別優選為式(arda-2)所示的基團,這些基團可以具有取代基。

r1t所示的由式(d-a)所示的基團優選為式(d-a1)~式(d-a5)所示的基團,更優選為式(d-a1)、式(d-a3)或式(d-a5)所示的基團,進一步優選為式(d-a1)或式(d-a3)所示的基團。

r1t所示的由式(d-b)所示的基團優選為式(d-b1)~式(d-b6)所示的基團,更優選為式(d-b1)~式(d-b3)或式(d-b5)所示的基團,進一步優選為式(d-b1)或式(d-b5)所示的基團。

r1t所示的由式(d-c)所示的基團優選為式(d-c1)~(d-c4)所示的基團,更優選為式(d-c1)~式(d-c3)所示的基團,進一步優選為式(d-c1)所示的基團。

·式(2-b)所示的金屬絡合物

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(2)所示的金屬絡合物優選為式(2-b)所示的金屬絡合物。

e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b優選為碳原子。

環l1b為二氮雜苯環時,環l1b優選為e11b為氮原子的嘧啶環、或者e12b為氮原子的嘧啶環,更優選為e11b為氮原子的嘧啶環。

環l1b優選為吡啶環。

環l1b具有式(1-t)所示的基團時,優選r11b、r12b或r13b為式(1-t)所示的基團,更優選r12b或r13b為式(1-t)所示的基團,進一步優選r13b為式(1-t)所示的基團。

環l2b為吡啶環時,優選為e21b為氮原子的吡啶環、e22b為氮原子的吡啶環、或者e23b為氮原子的吡啶環,更優選為e22b為氮原子的吡啶環。

環l2b為二氮雜苯環時,優選為e21b和e23b為氮原子的嘧啶環、或者e22b和e24b為氮原子的嘧啶環,更優選為e22b和e24b為氮原子的嘧啶環。

環l2b優選為苯環。

環l2b具有式(1-t)所示的基團時,優選r22b、r23b或r24b為式(1-t)所示的基團,更優選r22b或r23b為式(1-t)所示的基團,進一步優選r22b為式(1-t)所示的基團。

式(2-b)所示的金屬絡合物具有的式(1-t)所示的基團的合計個數與式(2)所示的金屬絡合物中的環l1和環l2具有的式(1-t)所示的基團的合計個數相同。

r11b與r12b、r12b與r13b、r13b與r14b、r11b與r21b、r21b與r22b、r22b與r23b、或者r23b與r24b與各對所鍵合的原子一起形成環時,作為所形成的環,優選為芳香族烴環或芳香族雜環,更優選為芳香族烴環,進一步優選為苯環,這些環可以具有取代基或式(1-t)所示的基團。在形成環的情況下,所形成的環的例子和優選范圍與環r2的例子和優選范圍相同。在形成環的情況下,環任選具有的取代基的例子和優選范圍,與環l1和環l2任選具有的取代基的例子和優選范圍相同。

優選的是,r11b與r21b、r21b與r22b、r22b與r23b、或者r23b與r24b并不發生如下情況,即:各對鍵合并與各對所鍵合的原子一起形成環。

由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,式(2-b)所示的金屬絡合物優選為式(2-b1)~式(2-b5)所示的金屬絡合物,更優選為式(2-b1)~式(2-b3)所示的金屬絡合物,進一步優選為式(2-b1)或式(2-b2)所示的金屬絡合物。

r15b、r16b、r17b和r18b優選為氫原子。

優選的是,r15b與r16b、r16b與r17b、以及r17b與r18b并不發生如下情況,即:各對鍵合并與各對所鍵合的原子一起形成環。

式(2-b1)~式(2-b5)所示的金屬絡合物具有的式(1-t)所示的基團的合計個數各自與式(2)所示的金屬絡合物中的環l1和環l2具有的式(1-t)所示的基團的合計個數相同。

作為式(2)所示的金屬絡合物,例如可以舉出下述式所示的金屬絡合物。

[化51]

[化52]

[化53]

[化54]

[化55]

[化56]

[化57]

[化58]

[化59]

式(2)所示的金屬絡合物例如能夠從aldrich、luminescencetechnologycorp.、americandyesource獲得。此外,式(2)所示的金屬絡合物例如可以依據“journaloftheamericanchemicalsociety,vol.107,1431-1432(1985)”、“journaloftheamericanchemicalsociety,vol.106,6647-6653(1984)”、日本特表2004-530254號公報、日本特開2008-179617號公報、日本特開2011-105701號公報、日本特表2007-504272號公報、國際公開第2006/121811號中記載的方法進行合成。

從調整本發明的發光元件的發光色(尤其調整發光色為白色)的觀點出發,式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長通常為495nm以上且小于750nm,優選為500nm以上且680nm以下,更優選為505nm以上且640nm以下。

本發明的組合物含有2種以上的式(2)所示的金屬絡合物時,從調整本發明的發光元件的發光色(尤其調整發光色為白色)的觀點出發,優選的是,至少2種式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長相互不同,相互不同的最大峰波長之差優選為10~200nm,更優選為20~150nm,進一步優選為40~120nm。

在本發明的組合物含有2種以上的式(2)所示的金屬絡合物、且至少2種式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長不同時,從調整本發明的發光元件的發光色(尤其調整發光色為白色)的觀點出發,發光譜的最大峰波長為短波長側的式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長優選為500nm以上且小于570nm,更優選為505nm以上且560nm以下。另外,發光譜的最大峰波長為長波長側的式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長優選為570nm以上且680nm以下,更優選為590nm以上且640nm以下。

從調整本發明的發光元件的發光色(尤其調整發光色為白色)的觀點出發,式(2)所示的金屬絡合物的合計含量在將式(1)所示的金屬絡合物的合計含量設為100質量份時,優選為0.01~50質量份,更優選為0.05~30質量份,進一步優選為0.1~10質量份,特別優選為0.2~5質量份。

在本發明的組合物含有2種以上的式(2)所示的金屬絡合物、且至少2種式(2)所示的金屬絡合物的發光譜的最大峰波長不同時,在將發光譜的最大峰波長為短波長側的式(2)所示的金屬絡合物設為100質量份時,發光譜的最大峰波長為長波長側的式(2)所示的金屬絡合物的含量通常為1~10000質量份,由于使本發明的發光元件的顏色再現性優異,優選為0.5~1000質量份,更優選為1~100質量份,進一步優選為5~50質量份。

本發明的組合物含有2種以上的式(2)所示的金屬絡合物時,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,至少1種式(2)所示的金屬絡合物優選為式(2-b1)~式(2-b5)所示的金屬絡合物,更優選為式(2-b1)~式(2-b3)所示的金屬絡合物,進一步優選為式(2-b1)或式(2-b2)所示的金屬絡合物。

本發明的組合物含有2種以上的式(2)所示的金屬絡合物時,由于使本發明的發光元件的亮度壽命更優異,至少2種式(2)所示的金屬絡合物的組合優選為選自式(2-b1)~式(2-b5)所示的金屬絡合物中的2種的組合,更優選為2種式(2-b1)所示的金屬絡合物的組合、或者式(2-b1)所示的金屬絡合物與選自式(2-b2)~式(2-b5)所示的金屬絡合物中的1種的組合,進一步優選為2種式(2-b1)所示的金屬絡合物的組合、或者式(2-b1)所示的金屬絡合物與式(2-b2)或式(2-b3)所示的金屬絡合物的組合,特別優選為2種式(2-b1)所示的金屬絡合物的組合、或者式(2-b1)所示的金屬絡合物與式(2-b2)所示的金屬絡合物的組合。

在本發明的組合物中,通過調整式(1)所示的金屬絡合物的含量與式(2)所示的金屬絡合物的含量的比率,能夠調整發光色,也能夠將發光色調整為白色。

金屬絡合物的發光譜的最大峰波長能夠通過將金屬絡合物溶于二甲苯、甲苯、氯仿、四氫呋喃等有機溶劑而制成稀溶液(1×10-6~1×10-3質量%),并在室溫測定該稀溶液的pl譜來進行評價。作為溶解金屬絡合物的有機溶劑,優選為二甲苯。

[其他的成分]

本發明的組合物可以進一步含有選自由空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料、抗氧化劑和溶劑組成的組中的至少1種材料。其中,空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料和電子注入材料與式(c-1)所示的化合物不同,發光材料與式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物不同。

[墨液]

含有式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物、式(2)所示的金屬絡合物和溶劑的組合物(以下稱為“墨液”)適合于使用噴墨印刷法、噴嘴印刷法等印刷法制作發光元件。墨液的粘度根據印刷法的種類進行調整即可,優選為在25℃為1~20mpa·s。

墨液中包含的溶劑優選為能夠溶解或均勻分散墨液中的固體成分的溶劑。作為溶劑,例如可以舉出氯系溶劑、醚系溶劑、芳香族烴系溶劑、脂肪族烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、多元醇系溶劑、醇系溶劑、亞砜系溶劑、酰胺系溶劑。

在墨液中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,溶劑的配合量通常為1000~100000質量份。

溶劑可以使用單獨1種,也可以并用2種以上。

[空穴傳輸材料]

空穴傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物,優選為具有交聯基的高分子化合物。

作為高分子化合物,例如可以舉出:聚乙烯咔唑及其衍生物;在側鏈或主鏈具有芳香族胺結構的聚芳撐及其衍生物。高分子化合物也可以是鍵合有富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯和三硝基芴酮等電子接受性部位的化合物。

在本發明的組合物中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,空穴傳輸材料的配合量通常為1~400質量份。

空穴傳輸材料可以使用單獨1種,也可以并用2種以上。

[電子傳輸材料]

電子傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物。電子傳輸材料可以具有交聯基。

作為低分子化合物,例如可以舉出以8-羥基喹啉為配體的金屬絡合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯和聯苯醌、以及它們的衍生物。

作為高分子化合物,例如可以舉出聚亞苯基、聚芴、以及它們的衍生物。高分子化合物可以經金屬摻雜。

在本發明的組合物中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,電子傳輸材料的配合量通常為1~400質量份。

電子傳輸材料可以使用單獨1種,也可以并用2種以上。

[空穴注入材料和電子注入材料]

空穴注入材料和電子注入材料各自分類為低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料和電子注入材料可以具有交聯基。

作為低分子化合物,例如可以舉出銅酞菁等金屬酞菁;碳;鉬、鎢等的金屬氧化物;氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

作為高分子化合物,例如可以舉出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚亞苯基亞乙烯基、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚喹啉和聚喹喔啉、以及它們的衍生物;在主鏈或側鏈包含芳香族胺結構的聚合物等導電性高分子。

在本發明的組合物中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,空穴注入材料和電子注入材料的配合量各自通常為1~400質量份。

空穴注入材料和電子注入材料各自可以使用單獨1種也可以并用2種以上。

[離子摻雜]

在空穴注入材料或電子注入材料包含導電性高分子的情況下,導電性高分子的電導率優選為1×10-5s/cm~1×103s/cm。為了將導電性高分子的電導率設為該范圍,可以在導電性高分子中摻雜適量的離子。所摻雜的離子的種類在空穴注入材料的情況下為陰離子,在電子注入材料的情況下為陽離子。作為陰離子,例如可以舉出聚苯乙烯磺酸根離子、烷基苯磺酸根離子、樟腦磺酸根離子。作為陽離子,例如可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。

所摻雜的離子可以使用單獨1種也可以并用2種以上。

[發光材料]

發光材料分類為低分子化合物和高分子化合物。發光材料可以具有交聯基。

作為低分子化合物,例如可以舉出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以銥、鉑或銪作為中心金屬的三重態發光絡合物。

作為高分子化合物,例如可以舉出包含亞苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氫菲二基、蒽二基和芘二基等亞芳基;從芳香族胺除去2個氫原子而成的基團等芳香族胺殘基;以及咔唑二基、吩噁嗪二基和吩噻嗪二基等二價雜環基的高分子化合物。

作為三重態發光絡合物,例如可以舉出以下所示金屬絡合物。

[化60]

[化61]

在本發明的組合物中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,發光材料的含量通常為0.1~400質量份。

發光材料可以使用單獨1種,也可以并用2種以上。

[抗氧化劑]

抗氧化劑只要是可溶于與式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物相同的溶劑且不阻礙發光和電荷傳輸的化合物即可,例如可以舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

在本發明的組合物中,在將式(c-1)所示的化合物、式(1)所示的金屬絡合物和式(2)所示的金屬絡合物的合計設為100質量份時,抗氧化劑的配合量通常為0.001~10質量份。

抗氧化劑可以使用單獨1種,也可以并用2種以上。

<膜>

膜含有本發明的組合物。

膜適合作為發光元件中的發光層。

膜可以使用墨液通過例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂涂布法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、毛細管涂布法、噴嘴涂布法進行制作。

膜的厚度通常為1nm~10μm。

<發光元件>

本發明的發光元件是含有本發明的組合物的發光元件。

作為本發明的發光元件的構成,例如具有包含陽極和陰極的電極、和設置于該電極間的含有本發明的組合物的層。

本發明的發光元件的發光色能夠通過測定發光元件的發光色度并求出色度坐標(cie色度坐標)來進行確認。白色的發光色例如優選為色度坐標的x為0.20~0.55的范圍內、且色度坐標的y為0.20~0.55的范圍內,更優選為色度坐標的x為0.25~0.50的范圍內、且色度坐標的y為0.25~0.50的范圍內。

[層構成]

含有本發明的組合物的層通常為選自由發光層、空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中的1種以上的層,優選為發光層。這些層分別包含發光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。這些層可以如下形成:分別使發光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料溶于上述的溶劑,制備墨液后使用,使用與上述的膜的制作相同的方法進行形成。

發光元件在陽極與陰極之間具有發光層。從空穴注入性和空穴傳輸性的觀點出發,本發明的發光元件優選在陽極與發光層之間具有空穴注入層和空穴傳輸層中的至少1層,從電子注入性和電子傳輸性的觀點出發,優選在陰極與發光層之間具有電子注入層和電子傳輸層中的至少1層。

作為空穴傳輸層、電子傳輸層、發光層、空穴注入層和電子注入層的材料,除了本發明的組合物以外,還分別可以舉出上述的空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發光材料、空穴注入材料和電子注入材料等。

關于空穴傳輸層的材料、電子傳輸層的材料和發光層的材料,在發光元件的制作中,在各自會溶解于在與空穴傳輸層、電子傳輸層和發光層相鄰的層的形成時所使用的溶劑的情況下,為了避免該材料溶解于該溶劑中,優選該材料具有交聯基。使用具有交聯基的材料形成各層后,使該交聯基進行交聯,由此可以使該層不溶化。

本發明的發光元件中,作為發光層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層等各層的形成方法,在使用低分子化合物的情況下,例如可以舉出利用粉末的真空蒸鍍法、基于利用溶液或熔融狀態的成膜的方法,在使用高分子化合物的情況下,例如可以舉出基于利用溶液或熔融狀態的成膜的方法。

進行層疊的層的順序、數量和厚度考慮外部量子效率和亮度壽命進行調整。

[基板/電極]

發光元件中的基板只要是可以形成電極且在形成有機層時不發生化學性變化的基板即可,例如由玻璃、塑料、硅等材料構成的基板。不透明的基板的情況下,位置距基板最遠的電極優選為透明或半透明。

作為陽極的材料,例如可以舉出導電性的金屬氧化物、半透明的金屬,優選為氧化銦、氧化鋅、氧化錫;銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物等導電性化合物;銀與鈀與銅的復合體(apc);nesa、金、鉑、銀、銅。

作為陰極的材料,例如可以舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬;這些之中的2種以上的合金;這些之中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金;以及石墨和石墨層間化合物。作為合金,例如可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

陽極和陰極各自可以為2層以上的層疊結構。

[用途]

為了使用發光元件得到面狀的發光,以面狀的陽極與陰極疊合的方式配置即可。為了得到圖案狀的發光,有在面狀的發光元件的表面設置設有圖案狀的窗的掩模的方法、使欲成為非發光部的層形成得極端厚而實質上成為不發光的方法、以圖案狀形成陽極或陰極、或者這兩種電極的方法。利用這些中的任一方法形成圖案,以能夠獨立進行開關(on/off)的方式配置若干電極,由此可得到可以顯示數字、文字等的分段型的顯示裝置。為了形成點陣顯示裝置,將陽極和陰極以共同形成條狀并正交的方式進行配置即可。通過分別涂布多種發光色不同的高分子化合物的方法、使用濾色器或熒光轉換濾波器的方法,能夠進行部分彩色顯示、多色顯示。點陣顯示裝置能夠進行無源驅動,也能夠與tft等組合而進行有源驅動。這些顯示裝置可以用于計算機、電視機、便攜終端等的顯示器。面狀的發光元件可以適合地用作液晶顯示裝置的背光用的面狀光源、或者面狀的照明用光源。如果使用柔性的基板,則也可以用作曲面狀的光源和顯示裝置。

實施例

以下,通過實施例對本發明進行更進一步的詳細說明,本發明不限于這些實施例。

在實施例中,對于高分子化合物的聚苯乙烯換算的數均分子量(mn)和聚苯乙烯換算的重均分子量(mw),流動相使用四氫呋喃并通過下述尺寸排阻色譜法(sec)求出。

將待測定的高分子化合物以約0.05質量%的濃度溶于四氫呋喃,向sec中注入10μl。流動相以1.0ml/分鐘的流量流動。作為柱,使用plgelmixed-b(polymerlaboratories制)。檢測器使用uv-vis檢測器(東曹制、商品名:uv-8320gpc)。

nmr利用下述方法測定。

使5~10mg的測定試樣溶于約0.5ml的氘代氯仿(cdcl3)、氘代四氫呋喃、氘代二甲亞砜、氘代丙酮、氘代n,n-二甲基甲酰胺、氘代甲苯、氘代甲醇、氘代乙醇、氘代2-丙醇或氘代二氯甲烷,使用nmr裝置(jeolresonance制、商品名:jnm-ecz400s/l1)進行測定。

作為化合物的純度的指標,使用高效液相色譜(hplc)面積百分率的值。該值只要沒有特別記載,就設為hplc(島津制作所制、商品名:lc-20a)中的uv=254nm處的值。此時,待測定的化合物以0.01~0.2質量%的濃度溶于四氫呋喃或氯仿,根據濃度向hplc中注入1~10μl。hplc的流動相使用乙腈/四氫呋喃,一邊使乙腈/四氫呋喃的比率從100/0~0/100(體積比)為止進行變化一邊以1.0ml/分鐘的流量流動。柱使用sumipaxodsz-clue(住化分析中心制、內徑:4.6mm、長度:250mm、粒徑3μm)或具有同等性能的ods柱。檢測器使用光電二極管陣列檢測器(島津制作所制、商品名:spd-m20a)。

在本實施例中,化合物的發光譜的最大峰波長通過分光光度計(日本分光株式會社制、fp-6500)在室溫進行測定。使用使化合物在二甲苯中以約0.8×10-4質量%的濃度溶解而成的二甲苯溶液作為試樣。作為激發光,使用波長325nm的uv光。

<合成例m1>化合物m1~m5和金屬絡合物rm1的合成

化合物m1、m2和m3依據國際公開第2013/146806號記載的方法進行合成。

化合物m4依據日本特開2012-33845號公報記載的方法進行合成。

化合物m5依據日本特開2010-189630號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物rm1依據國際公開第2009/157424號記載的方法進行合成。

[化62]

[化63]

<合成例htl1>高分子化合物htl-1的合成

將反應容器內設為非活性氣體氣氛后,加入化合物m1(0.800g)、化合物m2(0.149g)、化合物m3(1.66g)、二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(1.4mg)和甲苯(45ml),加熱至100℃。之后,向其中滴加20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(16ml),進行7小時回流。之后,向其中加入2-乙基苯硼酸(90mg)和二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(1.3mg),進行17.5小時回流。之后,向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液,在85℃攪拌2小時。將所得到的反應液冷卻后,分別利用3.6質量%鹽酸、2.5質量%氨水、水進行洗滌。將所得到的溶液滴加至甲醇中,結果產生了沉淀。使所得到的沉淀物溶于甲苯,通過依次通過氧化鋁柱、硅膠柱來進行純化。將所得到的溶液滴加至甲醇中,進行攪拌后,濾取所得到的沉淀物,進行干燥,由此得到1.64g高分子化合物htl-1。高分子化合物htl-1的mn為3.5×104,mw為2.2×105

以根據投入原料的量求出的理論值計,高分子化合物htl-1是由化合物m1衍生的結構單元、由化合物m2衍生的結構單元和由化合物m3衍生的結構單元以40:10:50的摩爾比構成而成的共聚物。

<合成例htl2>高分子化合物htl-2的合成

將反應容器內設為非活性氣體氣氛后,加入化合物m1(2.52g)、化合物m2(0.470g)、化合物m3(4.90g)、金屬絡合物rm1(0.530g)、二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(4.2mg)和甲苯(158ml),加熱至100℃。之后,向其中滴加20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(16ml),進行8小時回流。之后,向其中加入苯硼酸(116mg)和二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(4.2mg),進行15小時回流。之后,向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液,在85℃攪拌2小時。將所得到的反應液冷卻后,分別利用3.6質量%鹽酸、2.5質量%氨水、水進行洗滌。將所得到的溶液滴加至甲醇中,結果產生了沉淀。使所得到的沉淀物溶于甲苯,通過依次通過氧化鋁柱、硅膠柱來進行純化。將所得到的溶液滴加至甲醇中,進行攪拌,然后濾取所得到的沉淀物,進行干燥,由此得到6.02g高分子化合物htl-2。高分子化合物htl-2的mn為3.8×104,mw為4.5×105

以根據投入原料的量求出的理論值計,高分子化合物htl-2是由化合物m1衍生的結構單元、由化合物m2衍生的結構單元、由化合物m3衍生的結構單元和由金屬絡合物rm1衍生的結構單元以40:10:47:3的摩爾比構成而成的共聚物。

高分子化合物htl-2的發光譜在404nm和600nm具有極大波長,高分子化合物htl-2的發光譜的最大峰波長為404nm。

<合成例b1~b3>金屬絡合物b1~b3的合成

金屬絡合物b1依據日本特開2013-147551號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物b2依照國際公開第2006/121811號和日本特開2013-048190號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物b3依照國際公開第2006/121811號記載的方法進行合成。

[化64]

金屬絡合物b1的發光譜的最大峰波長為450nm。

金屬絡合物b2的發光譜的最大峰波長為471nm。

金屬絡合物b3的發光譜的最大峰波長為469nm。

<合成例g1~g5>金屬絡合物g1~g5的合成、獲取

金屬絡合物g1從luminescencetechnology公司購入。

金屬絡合物g2依據日本特開2013-237789號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物g3依照國際公開第2009/131255號記載的方法進行合成。

金屬絡合物g4和g5依據日本特開2014-224101號公報記載的方法進行合成。

[化65]

[化66]

化合物g1的發光譜的最大峰波長為510nm。

化合物g2的發光譜的最大峰波長為508nm。

化合物g3的發光譜的最大峰波長為514nm。

化合物g4的發光譜的最大峰波長為545nm。

化合物g5的發光譜的最大峰波長為514nm。

<合成例r1~r5>金屬絡合物r1~r5和化合物hm-1的合成、獲取

金屬絡合物r1從luminescencetechnology公司購入。

金屬絡合物r2依照國際公開第2002/044189號記載的方法進行合成。

金屬絡合物r3依照日本特開2006-188673號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物r4依據日本特開2008-179617號公報記載的方法進行合成。

金屬絡合物r5依據日本特開2011-105701號公報記載的方法進行合成。

[化67]

[化68]

金屬絡合物r1的發光譜的最大峰波長為625nm。

金屬絡合物r2的發光譜的最大峰波長為617nm。

金屬絡合物r3的發光譜的最大峰波長為619nm。

金屬絡合物r4的發光譜的最大峰波長為594nm。

金屬絡合物r5的發光譜的最大峰波長為611nm。

<合成例hm-1和hm-6~hm-9>化合物hm-1和hm-6~hm-9的合成、獲取

化合物hm-1從luminescencetechnology公司購入。

化合物hm-6和化合物hm-7依照國際公開第2012/048820號記載的方法進行合成。

化合物hm-8依照國際公開第2014/023388號記載的方法進行合成。

化合物hm-9依照國際公開第2013/045411號記載的方法進行合成。

[化69]

<合成例hm-2>化合物hm-2的合成

[化70]

將反應容器內設為氮氣氣氛后,加入化合物hm-2a(15.6g)、化合物hm-2b(10.3g)、甲苯(390ml)、四(三苯基膦)鈀(0)(2.2g)和20質量%四丁基氫氧化銨水溶液(194g),在90℃攪拌4小時。將所得到的反應液冷卻至室溫后,利用鋪有硅藻土的過濾器進行過濾。將所得到的濾液利用離子交換水洗滌后,將所得到的有機層利用無水硫酸鈉進行干燥,進行過濾。將所得到的濾液進行減壓濃縮,由此得到了固體。對于所得到的固體,使用甲苯和2-丙醇的混合溶劑進行析晶后,在50℃進行減壓干燥,由此得到了化合物hm-2(15.2g)。化合物hm-2的hplc面積百分率值為99.5%以上。

化合物hm-2的分析結果如下所述。

1h-nmr(cd2cl2、400mhz):δ(ppm)=6.70-6.83(4h、m)、7.15(3h、t)、7.39(3h、t)、7.48(3h、t)、7.59(2h、t)、7.83-7.93(4h、m)、8.18-8.23(3h、m).

<合成例hm-3>化合物hm-3的合成

[化71]

將反應容器內設為氮氣氣氛后,加入化合物hm-3a(13.5g)、化合物hm-2b(8.9g)、甲苯(404ml)、四(三苯基膦)鈀(0)(2.0g)和20質量%四丁基氫氧化銨水溶液(166g),在90℃攪拌3小時。將所得到的反應液冷卻至室溫后,利用鋪有硅藻土的過濾器進行過濾。將所得到的濾液利用離子交換水洗滌后,將所得到的有機層利用無水硫酸鈉進行干燥,進行過濾。將所得到的濾液進行減壓濃縮,由此得到了固體。對于所得到的固體,利用硅膠柱色譜(己烷和氯仿的混合溶劑)進行純化,進一步使用甲苯和甲醇的混合溶劑進行析晶后,在50℃進行減壓干燥,由此得到了化合物hm-3(10.5g)。化合物hm-3的hplc面積百分率值為99.5%以上。

化合物hm-3的分析結果如下所述。

1h-nmr(cd2cl2、400mhz):δ(ppm)=6.51(1h、d)、6.60(1h、d)、6.80(4h、m)、6.92(1h、t)、7.21(3h、m)、7.34(1h、d)、7.39-7.50(4h、m)、7.65(1h、d)、7.71(1h、t)、7.81(1h、d)、7.88(2h、d)、8.28-8.35(2h、m).

<合成例hm-4>化合物hm-4的合成

[化72]

將反應容器內設為氮氣氣氛后,加入化合物hm-4a(1.6g)、化合物hm-4b(1.3g)、二甲苯(63ml)、乙酸鈀(ii)(22mg)、三叔丁基鏻四氟硼酸鹽(63mg)和叔丁醇鈉(1.9g),在加熱回流下攪拌54小時。將所得到的反應液冷卻至室溫后,利用鋪有硅膠和硅藻土的過濾器進行過濾。將所得到的濾液利用離子交換水洗滌后,將所得到的有機層利用無水硫酸鈉進行干燥,進行過濾。將所得到的濾液進行減壓濃縮,由此得到了固體。對于所得到的固體,利用硅膠柱色譜(己烷和氯仿的混合溶劑)進行純化,進一步使用氯仿和2-丙醇的混合溶劑進行析晶后,在50℃進行減壓干燥,由此得到了化合物hm-4(1.0g)。化合物hm-4的hplc面積百分率值為99.5%以上。

化合物hm-4的分析結果如下所述。

1h-nmr(cd2cl2、400mhz):δ(ppm)=7.08(4h、t)、7.34(6h、m)、7.47-7.57(12h、m)、8.02(2h、d)、8.12(2h、s)、8.22(4h、d).

<合成例hm-5>化合物hm-5的合成

[化73]

將反應容器內設為氮氣氣氛后,加入化合物hm-2a(1.64g)、化合物hm-5b(1.00g)、甲苯(40ml)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.24g)和20質量%四丁基氫氧化銨水溶液(20g),在90℃攪拌3小時。將所得到的反應液冷卻至室溫后,加入甲苯,利用離子交換水進行洗滌。將所得到的有機層利用無水硫酸鎂進行干燥后,利用鋪有硅膠和硅藻土的過濾器進行過濾。將所得到的濾液進行減壓濃縮,由此得到了固體。對于所得到的固體,使用甲苯和2-丙醇的混合溶劑進行析晶后,在50℃進行減壓干燥,由此得到了化合物hm-5(1.7g)。化合物hm-5的hplc面積百分率值為99.5%以上。

化合物hm-5的分析結果如下所述。

1h-nmr(cdcl3、400mhz):δ(ppm)=8.36(d,1h),8.03-7.99(m,1h),7.98-7.93(m,2h),7.89-7.86(m,2h),7.70-7.60(m,3h),7.51-7.35(m,6h),7.17-7.12(m,3h),6.89(d,1h),6.86-6.82(m,2h),6.78(d,1h).

<合成例etl1>高分子化合物etl-1的合成

將反應容器內設為非活性氣體氣氛后,加入化合物m4(9.23g)、化合物m5(4.58g)、二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(8.6mg)、甲基三辛基氯化銨(sigma-aldrich公司制、商品名aliquat336(注冊商標))(0.098g)和甲苯(175ml),加熱至105℃。之后,向其中滴加12質量%碳酸鈉水溶液(40.3ml),進行29小時回流。之后,向其中加入苯硼酸(0.47g)和二氯雙(三鄰甲氧苯基膦)鈀(8.7mg),進行14小時回流。之后,向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液,在80℃攪拌2小時。將所得到的反應液冷卻后,滴加至甲醇中,結果產生了沉淀。濾取所得到的沉淀物,分別利用甲醇、水進行洗滌后,進行干燥。使所得到的固體溶于氯仿,依次通過預先流通過氯仿的氧化鋁柱和硅膠柱,由此進行純化。將所得到的純化液滴加至甲醇中,進行攪拌,結果產生了沉淀。濾取所得到的沉淀物,進行干燥,由此得到高分子化合物etl-1a(7.15g)。高分子化合物etl-1a的mn為3.2×104,mw為6.0×104

以根據投入原料的量求出的理論值計,高分子化合物etl-1a是由化合物m4衍生的結構單元和由化合物m5衍生的結構單元以50:50的摩爾比構成而成的共聚物。

將反應容器內設為氬氣氣氛下,然后加入高分子化合物etl-1a(3.1g)、四氫呋喃(130ml)、甲醇(66ml)、氫氧化銫一水合物(2.1g)和水(12.5ml),在60℃攪拌3小時。之后,向其中加入甲醇(220ml),攪拌2小時。將所得到的反應混合物濃縮后,滴加至異丙醇中,進行攪拌,結果產生了沉淀。濾取所得到的沉淀物,進行干燥,由此得到高分子化合物etl-1(3.5g)。根據高分子化合物etl-1的1h-nmr分析,高分子化合物etl-1中的乙基酯部位的信號消失,確認反應已結束。

以根據高分子化合物etl-1a的投入原料的量求出的理論值計,高分子化合物etl-1是下述式所示的結構單元與由化合物m5衍生的結構單元以50:50的摩爾比構成而成的共聚物。

[化74]

<實施例d1>發光元件d1的制作和評價

(陽極和空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ito膜,由此形成陽極。在該陽極上通過旋涂法將作為空穴注入材料的nd-3202(日產化學工業制)以35nm的厚度進行成膜。在大氣氣氛下,在加熱板上于50℃加熱3分鐘,進而在230℃加熱15分鐘,由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

將高分子化合物htl-1在二甲苯中以0.7質量%的濃度溶解。使用所得到的二甲苯溶液,在空穴注入層之上通過旋涂法以20nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下,在加熱板上于180℃加熱60分鐘,由此形成空穴傳輸層。

(發光層的形成)

將化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)以2.0質量%的濃度溶于甲苯。使用所得到的甲苯溶液,在空穴傳輸層之上通過旋涂法以75nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下,在130℃加熱10分鐘,由此形成發光層。

(電子傳輸層的形成)

在2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇中,將高分子化合物etl-1以0.25質量%的濃度溶解。使用所得到的2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇溶液在發光層之上通過旋涂法以10nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下于130℃加熱10分鐘,由此形成電子傳輸層。

(陰極的形成)

將形成了電子傳輸層的基板置于蒸鍍機內,減壓至1.0×10-4pa以下后,作為陰極,在電子傳輸層之上蒸鍍氟化鈉約4nm,接著在氟化鈉層之上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后,使用玻璃基板進行密封,由此制作了發光元件d1。

(發光元件的評價)

對發光元件d1施加電壓,由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.43)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的90%為止的時間。

<比較例cd1>發光元件cd1的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-1”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd1。

對發光元件cd1施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.28,0.42)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的90%為止的時間。

實施例d1和比較例cd1的結果示于表1。示出將發光元件cd1的亮度達到初始亮度的90%為止的時間設為1.0時的發光元件d1的亮度達到初始亮度的90%為止的時間的相對值。

表1

<實施例d2>發光元件d2的制作和評價

(陽極和空穴注入層的形成)

在玻璃基板上通過濺射法以45nm的厚度賦予ito膜,由此形成陽極。在該陽極上通過旋涂法將作為空穴注入材料的nd-3202(日產化學工業制)以35nm的厚度進行成膜。在大氣氣氛下,在加熱板上于50℃加熱3分鐘,進而在230℃加熱15分鐘,由此形成空穴注入層。

(第二發光層的形成)

將高分子化合物htl-2以0.7質量%的濃度溶解于二甲苯。使用所得到的二甲苯溶液,在空穴注入層之上通過旋涂法以20nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下,在加熱板上于180℃加熱60分鐘,由此形成第二發光層。

(第一發光層的形成)

將化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物g3(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3=74質量%/25質量%/1質量%)以2.0質量%的濃度溶解于甲苯。使用所得到的甲苯溶液,在第二發光層之上通過旋涂法以75nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下于130℃加熱10分鐘,由此形成第一發光層。

(電子傳輸層的形成)

在2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇中,將高分子化合物etl-1以0.25質量%的濃度溶解。使用所得到的2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇溶液,在第一發光層之上通過旋涂法以10nm的厚度進行成膜,在氮氣氣氛下于130℃加熱10分鐘,由此形成電子傳輸層。

(陰極的形成)

將形成了電子傳輸層的基板置于蒸鍍機內,減壓至1.0×10-4pa以下后,作為陰極,在電子傳輸層之上蒸鍍氟化鈉約4nm,接著,在氟化鈉層之上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后,使用玻璃基板進行密封,由此制作了發光元件d2。

(發光元件的評價)

對發光元件d2施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.48,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的85%為止的時間。

<實施例d3>發光元件d3的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-3”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d3。

對發光元件d3施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.44,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的85%為止的時間。

<實施例d4>發光元件d4的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-8”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d4。

對發光元件d4施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.42,0.47)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的85%為止的時間。

<比較例cd2>發光元件cd2的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-1”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件cd2。

對發光元件cd2施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.47,0.45)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的85%為止的時間。

實施例d2~d4和比較例cd2的結果示于表2。示出將發光元件cd2的亮度達到初始亮度的85%為止的時間設為1.0時的發光元件d2~d4的亮度達到初始亮度的85%為止的時間的相對值。

【表2】

<實施例d5>發光元件d5的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-2、金屬絡合物b2、金屬絡合物g2和金屬絡合物r2(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物g2/金屬絡合物r2=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d5。

對發光元件d5施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.33,0.52)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d6>發光元件d6的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-2、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r4=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d6。

對發光元件d6施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.36,0.50)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d7>發光元件d7的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-2、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r5(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r5=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d7。

對發光元件d7施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.33,0.52)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d8>發光元件d8的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-3、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r3(化合物hm-3/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r3=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d8。

對發光元件d8施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.36,0.50)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d9>發光元件d9的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-8、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r3(化合物hm-8/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r3=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d9。

對發光元件d9施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.53)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<比較例cd3>發光元件cd3的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-1、金屬絡合物b2、金屬絡合物g2和金屬絡合物r2(化合物hm-1/金屬絡合物b2/金屬絡合物g2/金屬絡合物r2=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd3。

對發光元件cd3施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.50)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<比較例cd4>發光元件cd4的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-1、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r4(化合物hm-1/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r4=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd4。

對發光元件cd4施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.35,0.49)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<比較例cd5>發光元件cd5的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-1、金屬絡合物b1、金屬絡合物g2和金屬絡合物r2(化合物hm-1/金屬絡合物b1/金屬絡合物g2/金屬絡合物r2=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd5。

對發光元件cd5施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.43,0.36)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<比較例cd6>發光元件cd6的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-4、金屬絡合物b2、金屬絡合物g1和金屬絡合物r1(化合物hm-4/金屬絡合物b2/金屬絡合物g1/金屬絡合物r1=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd6。

對發光元件cd6施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.53)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

實施例d5~d9和比較例cd3~cd6的結果示于表3。示出將發光元件cd3的亮度達到初始亮度的80%為止的時間設為1.0時的發光元件d5~d9和cd4~cd6的亮度達到初始亮度的80%為止的時間的相對值。

【表3】

<實施例d10>發光元件d10的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-2、金屬絡合物b2、金屬絡合物g3和金屬絡合物r3(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物g3/金屬絡合物r3=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d10。

對發光元件d10施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.53)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d11>發光元件d11的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-5”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d11。

對發光元件d11施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.54)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d12>發光元件d12的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-6”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d12。

對發光元件d12施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.54)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d13>發光元件d13的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-7”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d13。

對發光元件d13施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.53)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d14>發光元件d14的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“金屬絡合物g3”而使用“金屬絡合物g4”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d14。

對發光元件d14施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.37,0.52)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d15>發光元件d15的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“金屬絡合物g3”而使用“金屬絡合物g5”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d15。

對發光元件d15施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.29,0.49)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d16>發光元件d16的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“金屬絡合物b2”而使用“金屬絡合物b3”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d16。

對發光元件d16施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.54)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d17>發光元件d17的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-9”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d17。

對發光元件d17施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.29,0.52)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d18>發光元件d18的制作和評價

在實施例d10的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-4”,除此以外進行與實施例d10同樣的操作,制作了發光元件d18。

對發光元件d18施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.33,0.51)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

<實施例d19>發光元件d19的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-4、金屬絡合物b2、金屬絡合物g2和金屬絡合物r2(化合物hm-4/金屬絡合物b2/金屬絡合物g2/金屬絡合物r2=73.9質量%/25質量%/1質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d19。

對發光元件d19施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.53)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的70%為止的時間。

實施例d10~d19的結果示于表4。示出將發光元件d19的亮度達到初始亮度的70%為止的時間設為1.0時的發光元件d10~d18的亮度達到初始亮度的70%為止的時間的相對值。

【表4】

<實施例d20>發光元件d20的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-3、金屬絡合物b2和金屬絡合物r3(化合物hm-3/金屬絡合物b2/金屬絡合物r3=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d20。

對發光元件d20施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.31,0.42)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d21>發光元件d21的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-3、金屬絡合物b2和金屬絡合物r2(化合物hm-3/金屬絡合物b2/金屬絡合物r2=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d21。

對發光元件d21施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.29,0.41)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<實施例d22>發光元件d22的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-4、金屬絡合物b2和金屬絡合物r3(化合物hm-4/金屬絡合物b2/金屬絡合物r3=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件d22。

對發光元件d22施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.30,0.43)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

<比較例cd7>發光元件cd7的制作和評價

在實施例d1的(發光層的形成)中,代替“化合物hm-2、金屬絡合物b2和金屬絡合物r4(化合物hm-2/金屬絡合物b2/金屬絡合物r4=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”而使用“化合物hm-4、金屬絡合物b2和金屬絡合物r1(化合物hm-4/金屬絡合物b2/金屬絡合物r1=74.9質量%/25質量%/0.1質量%)”,除此以外進行與實施例d1同樣的操作,制作了發光元件cd7。

對發光元件cd7施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.27,0.43)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的80%為止的時間。

實施例d20~d22和比較例cd7的結果示于表5。示出將發光元件cd7的亮度達到初始亮度的80%為止的時間設為1.0時的發光元件d20~d22的亮度達到初始亮度的80%為止的時間的相對值。

【表5】

<實施例d23>發光元件d23的制作和評價

進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d2(在本實施例中,以下稱為“發光元件d23”。)。

對發光元件d23施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.48,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的95%為止的時間。

<實施例d24>發光元件d24的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“金屬絡合物b2”而使用“金屬絡合物b3”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d24。

對發光元件d24施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.48,0.45)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的95%為止的時間。

<實施例d25>發光元件d25的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-5”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d25。

對發光元件d25施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.47,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的95%為止的時間。

<實施例d26>發光元件d26的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-6”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d26。

對發光元件d26施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.48,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的95%為止的時間。

<實施例d27>發光元件d27的制作和評價

在實施例d2的(第一發光層的形成)中,代替“化合物hm-2”而使用“化合物hm-7”,除此以外進行與實施例d2同樣的操作,制作了發光元件d27。

對發光元件d27施加電壓由此觀測到el發光。1000cd/m2時的cie色度坐標(x,y)為(0.45,0.46)。以電流值1ma進行恒電流驅動,測定亮度達到初始亮度的95%為止的時間。

實施例d23~d27的結果示于表6。示出將發光元件d27的亮度達到初始亮度的95%為止的時間設為1.0時的發光元件d23~d26的亮度達到初始亮度的95%為止的時間的相對值。

【表6】

產業上的可利用性

根據本發明,可以提供對于制造亮度壽命優異的發光元件有用的組合物。另外,根據本發明,可以提供含有該組合物的發光元件。

再多了解一些
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