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柔性布線電路基板、其制造方法及成像裝置與流程

文檔序號:19351862發布日期:2019-12-06 21:29
柔性布線電路基板、其制造方法及成像裝置與流程

本發明涉及柔性布線電路基板、其制造方法及成像裝置。



背景技術:

迄今,已知有依次層疊有絕緣層、布線層和被覆層的布線電路基板。此外,作為這種布線電路基板,已知有在絕緣層的背面設置有金屬支撐體的基板(例如參見專利文獻1。)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開2013-100441號公報



技術實現要素:

發明要解決的問題

然而,如果布線電路基板的厚度、例如絕緣層和被覆層的總厚度變薄,則存在容易產生翹曲的不利情況。

另一方面,認為上述布線電路基板由于在絕緣層的背面具備金屬支撐體,因此能夠通過金屬支撐體抑制上述翹曲。然而,在絕緣層和被覆層的總厚度薄的情況下,反而會產生上述翹曲變明顯的不利情況。

本發明的目的在于提供能夠在實現薄型化的同時抑制翹曲的柔性布線電路基板、其制造方法及成像裝置。

用于解決問題的方案

本發明(1)包括一種柔性布線電路基板,其朝厚度方向的一側依次具備第1絕緣層、導體圖案和第2絕緣層,前述第1絕緣層的厚度方向另一側的面全部朝厚度方向的另一側露出,前述第1絕緣層和前述第2絕緣層的總厚度為16μm以下,至少前述第1絕緣層含有具有15×10-6/%rh以下的吸濕膨脹系數的絕緣材料。

本發明(2)包括第(1)項所述的柔性布線電路基板,其中,前述絕緣材料為含有下述式(1)所示的結構單元的聚酰亞胺。

式(1):

本發明(3)包括第(1)或(2)項所述的柔性布線電路基板,其中,前述導體圖案具有從前述第1絕緣層朝厚度方向的另一側露出的端子。

本發明(4)包括第(1)~(3)項中的任一項所述的柔性布線電路基板,其中,前述導體圖案的一部分從前述第2絕緣層朝厚度方向的一側露出。

本發明(5)包括第(1)~(4)項中的任一項所述的柔性布線電路基板,其還具備屏蔽層和第3絕緣層,所述柔性布線電路基板朝厚度方向的一側依次具備前述第1絕緣層、前述導體圖案、前述第2絕緣層、前述屏蔽層和前述第3絕緣層,前述第1絕緣層、前述第2絕緣層和前述第3絕緣層的總厚度為16μm以下。

本發明(6)包括第(5)項所述的柔性布線電路基板,其中,前述第3絕緣層含有具有15×10-6/%rh以下的吸濕膨脹系數的絕緣材料。

本發明(7)包括第(1)~(6)項中的任一項所述的柔性布線電路基板,其為用于安裝成像元件的成像元件安裝基板。

本發明(8)包括一種成像裝置,其具備第(7)項所述的成像元件安裝基板、以及安裝于前述成像元件安裝基板的成像元件。

本發明(9)包括一種柔性布線電路基板的制造方法,其為第(1)~(7)項中的任一項所述的柔性布線電路基板的制造方法,該方法具備如下工序:準備金屬支撐基板的工序;在前述金屬支撐基板的厚度方向的一側依次形成第1絕緣層、導體圖案和第2絕緣層工序;以及,去除前述金屬支撐基板的工序。

發明的效果

本發明的柔性布線電路基板由于第1絕緣層和第2絕緣層的總厚度薄至16μm以下,因此能夠實現薄型化。

此外,本發明的柔性布線電路基板由于第1絕緣層的厚度方向另一側的面全部朝厚度方向的另一側露出,且至少第1絕緣層含有具有15×10-6/%rh以下的低吸濕膨脹系數的絕緣材料,因此能夠抑制翹曲。

本發明的成像裝置由于具備上述柔性布線電路基板作為成像元件安裝基板,因此能夠實現薄型化,能夠提高連接可靠性。

根據本發明的柔性布線電路基板的制造方法,能夠得到可實現薄型化、可抑制翹曲的柔性布線電路基板。

附圖說明

圖1示出作為本發明的柔性布線電路基板的一個實施方式的成像元件安裝基板的仰視圖。

圖2示出圖1所示的成像元件安裝基板中的a-a剖視圖。

圖3的a、圖3的b、圖3的c和圖3的d示出圖2所示的成像元件安裝基板的制造工序圖,圖3的a示出金屬支撐體準備工序和基礎絕緣層形成工序,圖3的b示出導體圖案形成工序,圖3的c示出覆蓋絕緣層形成工序,圖3的d示出金屬支撐體去除工序。

圖4示出具備圖2所示的成像元件安裝基板的成像裝置。

圖5示出圖2所示的成像元件安裝基板的變形例(具備屏蔽層和第2覆蓋絕緣層的形態)的剖視圖。

圖6的a和圖6的b是實施例的翹曲的評價方法的主視圖,圖6的a示出準備具備多個安裝基板的基板集合體片的工序,圖6的b示出測定基板集合體片的頂點的下端部的高度的工序。

具體實施方式

在圖1中,紙面上下方向為前后方向(第1方向),紙面上側為前側(第1方向的一側),紙面下側為后側(第1方向的另一側)。

在圖1中,紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交的第2方向),紙面左側為左側(第2方向的一側),紙面右側為右側(第2方向的另一側)。

在圖1中,紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向的一個例子、與第1方向和第2方向正交的第3方向),紙面里側為上側(厚度方向的一側的一個例子、第3方向的一側),紙面靠近讀者的一側為下側(厚度方向的另一側的一個例子、第3方向的另一側)。

具體依據各圖的方向箭頭。

<一個實施方式>

1.成像元件安裝基板

對作為本發明的柔性布線電路基板的一個實施方式的成像元件安裝基板1(以下也簡稱為安裝基板1。)進行說明。

如圖1所示,安裝基板1為用于安裝成像元件21(后述、參見圖4)的柔性布線電路基板(fpc),尚不具備成像元件21。安裝基板1具有沿前后方向和左右方向(面方向)延伸的俯視大致矩形(長方形狀)的平板形狀(片形狀)。

安裝基板1具備外殼配置部2和外部部件連接部3。

外殼配置部2是配置外殼22(后述、參見圖4)、成像元件21的部分。具體而言,在外殼22配置于安裝基板1的情況下,是在沿厚度方向投影時與外殼22重疊的部分。在外殼配置部2的大致中央部配置有多個作為用于與成像元件21電連接的端子的一個例子的成像元件連接端子10(后述)。

外部部件連接部3是除外殼配置部2以外的區域,是用于與外部部件連接的部分。外部部件連接部3以使外部部件連接部3的前端緣與外殼配置部2的后端緣連續的方式配置在外殼配置部2的后側。在外部部件連接部3的后端緣配置有多個作為用于與外部部件電連接的端子的一個例子的外部部件連接端子11(后述)。

安裝基板1如圖2所示,朝上側(厚度方向的一側的一個例子)依次具備作為第1絕緣層的一個例子的基礎絕緣層4、導體圖案5和作為第2絕緣層的一個例子的覆蓋絕緣層6。

基礎絕緣層4構成安裝基板1的外形,形成為仰視大致矩形。基礎絕緣層4形成安裝基板1的下層。基礎絕緣層4的下表面(厚度方向另一側的面的一個例子)以平坦的方式形成。此外,基礎絕緣層4的下表面全部朝下方(厚度方向的另一側的一個例子)露出。詳細而言,基礎絕緣層4位于安裝基板1的最下層,基礎絕緣層4的下表面未被如專利文獻1中記載的金屬支撐體(參見圖3的a~圖3的c的標記19)支撐,因此安裝基板1不具備金屬支撐體19(金屬支持層)。

在基礎絕緣層4上形成有多個成像元件開口部7和多個外部部件開口部8(參見圖1)。

多個成像元件開口部7是用于使成像元件連接端子10從下表面露出的開口部。多個成像元件開口部7如圖1所示,在外殼配置部2的中央部以呈矩形框狀的方式相互隔開間隔地整齊排列。多個成像元件開口部7分別如圖2所示,沿上下方向貫穿基礎絕緣層4,具有仰視大致圓形。成像元件開口部7具有開口截面面積越向下側越小的錐形。

多個外部部件開口部8是用于使外部部件連接端子11從下表面露出的開口部。外部部件開口部8在外部部件連接部3的后端緣沿左右方向相互隔開間隔地整齊排列。多個外部部件開口部8分別沿上下方向貫穿基礎絕緣層4,具有仰視大致矩形(長方形狀)。外部部件開口部8在仰視下,以從外部部件連接部3的后端緣朝前側延伸的方式形成。

基礎絕緣層4含有絕緣材料。

作為絕緣材料,選擇滿足接下來說明的吸濕膨脹系數(che)的材料。作為這種絕緣材料,例如可從聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、丙烯酸、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等的合成樹脂等中舉出具有所期望的吸濕膨脹系數的材料。作為絕緣材料,從絕緣性、耐熱性和耐藥品性的角度來看,優選列舉出聚酰亞胺。

聚酰亞胺例如為使酸二酐成分與二胺成分反應而成的反應物(固化物)。

作為酸二酐成分,例如可列舉出芳香族酸二酐、脂肪族酸二酐等。

作為芳香族酸二酐,可列舉出:例如均苯四酸二酐,例如3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐等二苯甲酮四羧酸二酐,例如3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(bpda)、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,6,6’-聯苯四羧酸二酐等聯苯四羧酸二酐,例如2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)砜二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,3-雙[(3,4-二羧基)苯甲酰基]苯二酐、1,4-雙[(3,4-二羧基)苯甲酰基]苯二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、4,4’-雙[4-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、4,4’-雙[3-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}砜二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}砜二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、1,2,7,8-菲四羧酸二酐等。

作為脂肪族酸二酐,例如可列舉出:亞乙基四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環丁烷四羧酸二酐、環戊烷四羧酸二酐等。

作為酸二酐成分,從獲得優異的耐熱性的角度來看,可優選列舉出芳香族酸二酐,從減小吸濕膨脹系數的角度來看,更優選列舉出聯苯四羧酸二酐,進一步優選列舉出bpda。

作為二胺成分,可列舉出:芳香族二胺、脂肪族二胺。

作為芳香族二胺,可列舉出:例如對苯二胺(ppd)、間苯二胺、鄰苯二胺等苯二胺,例如3,3’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚等二氨基二苯基醚,例如3,3’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚等二氨基二苯基硫醚,例如3,3’-二氨基二苯砜、3,4’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯砜等二氨基二苯砜,例如3,3’-二氨基二苯甲酮、4,4’-二氨基二苯甲酮、3,4’-二氨基二苯甲酮等二氨基二苯甲酮,例如3,3’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、2,2-二(3-氨基苯基)丙烷、2,2-二(4-氨基苯基)丙烷、2-(3-氨基苯基)-2-(4-氨基苯基)丙烷、2,2-二(3-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二(4-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2-(3-氨基苯基)-2-(4-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,1-二(3-氨基苯基)-1-苯基乙烷、1,1-二(4-氨基苯基)-1-苯基乙烷、1-(3-氨基苯基)-1-(4-氨基苯基)-1-苯基乙烷等二氨基二苯基烷烴,例如1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(3-氨基苯甲酰基)苯、1,3-雙(4-氨基苯甲酰基)苯、1,4-雙(3-氨基苯甲酰基)苯、1,4-雙(4-氨基苯甲酰基)苯、1,3-雙(3-氨基-α,α-二甲基芐基)苯、1,3-雙(4-氨基-α,α-二甲基芐基)苯、1,4-雙(3-氨基-α,α-二甲基芐基)苯、1,4-雙(4-氨基-α,α-二甲基芐基)苯、1,3-雙(3-氨基-α,α-二(三氟甲基)芐基)苯、1,3-雙(4-氨基-α,α-二(三氟甲基)芐基)苯、1,4-雙(3-氨基-α,α-二(三氟甲基)芐基)苯、1,4-雙(4-氨基-α,α-二(三氟甲基)芐基)苯、2,6-雙(3-氨基苯氧基)苯并腈、2,6-雙(3-氨基苯氧基)吡啶、4,4’-雙(3-氨基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(4-氨基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、2,2-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[3-(3-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,3-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1,3-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1,4-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1,4-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1,3-雙[4-(3-氨基苯氧基)-α,α-二甲基芐基]苯、1,3-雙[4-(4-氨基苯氧基)-α,α-二甲基芐基]苯、1,4-雙[4-(3-氨基苯氧基)-α,α-二甲基芐基]苯、1,4-雙[4-(4-氨基苯氧基)-α,α-二甲基芐基]苯、4,4’-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯甲酰基]二苯基醚、4,4’-雙[4-(4-氨基-α,α-二甲基芐基)苯氧基]二苯甲酮、4,4’-雙[4-(4-氨基-α,α-二甲基芐基)苯氧基]二苯砜、4,4’-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基]二苯砜、3,3’-二氨基-4,4’-二苯氧基二苯甲酮、3,3’-二氨基-4,4’-二聯苯氧基二苯甲酮、3,3’-二氨基-4-苯氧基二苯甲酮、3,3’-二氨基-4-聯苯氧基二苯甲酮、6,6’-雙(3-氨基苯氧基)-3,3,3’,3’-四甲基-1,1’-螺二茚滿、6,6’-雙(4-氨基苯氧基)-3,3,3’,3’-四甲基-1,1’-螺二茚滿等。此外,還可列舉出將芳香環上氫原子的一部分或全部用選自氟基、甲基、甲氧基、三氟甲基、或三氟甲氧基中的取代基取代而得到的芳香族二胺。此外,還可列舉出2個以上芳香族環通過單鍵鍵合、2個以上氨基分別直接或作為取代基的一部分鍵合在不同的芳香族環上的芳香族二胺,這種芳香族二胺例如如下述式(a)所示。(式a):

(式中,a為0或1以上的自然數,氨基相對于苯環之間的鍵鍵合在間位或對位。)

作為式(a)所示的芳香族二胺,例如可列舉出聯苯胺等。

進而,還可列舉出在上述式(a)中不參與其他與苯環的鍵、在苯環上未取代有氨基的位置具有取代基的芳香族二胺,這種芳香族二胺由下述式(b)示出。

(式b):

(式中,a為0或1以上的自然數,r表示取代基。其中,氨基相對于苯環之間的鍵鍵合在間位或對位。)

r表示的取代基為1價有機基團,它們可以相互鍵合。作為r表示的取代基,可列舉出:例如甲基等碳數3以下的烷基,三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基等碳數3以下的鹵代烷基(優選為氟代烷基),例如氯、氟等鹵素原子等。作為r表示的取代基,優選列舉出鹵代烷基,更優選列舉出氟代烷基。作為具有取代基的、式(b)所示的芳香族二胺的具體例子,例如可列舉出:2,2’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯、2,2’-二(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯(別名:2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯、tfmb)、3,3’-二氯-4,4’-二氨基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二氨基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯。

作為脂肪族二胺,例如可列舉出:雙(氨基甲基)醚、雙(2-氨基乙基)醚、雙(3-氨基丙基)醚、雙(2-氨基甲氧基)乙基]醚、雙[2-(2-氨基乙氧基)乙基]醚、雙[2-(3-氨基丙氧基)乙基]醚、1,2-雙(氨基甲氧基)乙烷、1,2-雙(2-氨基乙氧基)乙烷、1,2-雙[2-(氨基甲氧基)乙氧基]乙烷、1,2-雙[2-(2-氨基乙氧基)乙氧基]乙烷、乙二醇雙(3-氨基丙基)醚、二乙二醇雙(3-氨基丙基)醚、三乙二醇雙(3-氨基丙基)醚、乙二胺、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基癸烷、1,11-二氨基十一烷、1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基環己烷、1,3-二氨基環己烷、1,4-二氨基環己烷、1,2-二(2-氨基乙基)環己烷、1,3-二(2-氨基乙基)環己烷、1,4-二(2-氨基乙基)環己烷、雙(4-氨基環己基)甲烷、2,6-雙(氨基甲基)雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙(氨基甲基)雙環[2.2.1]庚烷等。

作為二胺成分,從獲得優異的耐熱性的角度來看,可優選列舉出芳香族二胺,從進一步減小吸濕膨脹系數的角度來看,更優選列舉出具有含有氟原子的取代基(具體為氟代烷基、鹵素原子)的芳香族二胺,進一步優選列舉出具有氟代烷基作為取代基的芳香族二胺,特別優選列舉出tfmb。

二胺成分可以單獨使用或組合使用。優選列舉出種類不同的多種芳香族二胺,更優選列舉出苯二胺與具有氟代烷基的二胺的組合。這種組合例如在日本特開2013-100441號公報中有所詳述。

具有氟代烷基的芳香族二胺的摩爾比例相對于苯二胺和具有氟代烷基的二胺的總摩爾數例如為15%以上,優選為20%以上,此外,例如為80%以下,優選為50%以下。

酸二酐成分和二胺成分從上述例示中適當選擇以使絕緣材料具有所期望的吸濕膨脹系數。

此外,在酸二酐成分含有3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(bpda)、二胺成分含有2,2’-二(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯(tfmb)的情況下,聚酰亞胺含有下述式(1)所示的結構單元。

式(1):

在聚酰亞胺含有式(1)所示的結構單元的情況下,在耐熱性優異的同時能夠確保低的吸濕膨脹系數,能夠抑制安裝基板1的翹曲。

更具體而言,在酸二酐成分含有bpda、二胺成分含有tfmb的情況下,含有下述式(2)所示的結構單元。

式(2):

(式中,x為15以上且80以下。)

x優選為20以上,此外,優選為50以下。

如果x為上述下限以上,則能夠確保低的吸濕膨脹系數。如果x為上述上限以下,則在制備清漆時能夠容易地使其溶于溶劑。

絕緣材料的吸濕膨脹系數為15×10-6/%rh以下,優選為13×10-6/%rh以下,此外,例如為0×10-6/%rh以上,優選為1×10-6/%rh以上。

如果絕緣材料的吸濕膨脹系數超過上述上限,則無法抑制基礎絕緣層4的翹曲、甚至是安裝基板1的翹曲。另一方面,如果絕緣材料的吸濕膨脹系數為上述上限以下,則能夠抑制基礎絕緣層4的翹曲,甚至是抑制安裝基板1的翹曲。

用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料的吸濕膨脹系數例如與安裝基板1的固化后的基礎絕緣層4的吸濕膨脹系數相同。

絕緣材料的吸濕膨脹系數依據日本特開2013-100441號公報的實施例的記載進行測定。

基礎絕緣層4的厚度t1例如為12μm以下,優選為8μm以下,此外,例如為1μm以上,優選為3μm以上。需要說明的是,基礎絕緣層4的厚度t1以后述的基礎絕緣層4的厚度t1和覆蓋絕緣層6的厚度t2的總和達到所期望的范圍的方式進行調節。

導體圖案5以與基礎絕緣層4的上表面接觸的方式設置在基礎絕緣層4的上側。導體圖案5具備多個成像元件連接端子10、多個外部部件連接端子11(參見圖2)和多個布線9。

多個成像元件連接端子10如圖1所示,在外殼配置部2的中央部以呈矩形框狀的方式相互隔開間隔地整齊排列。即,多個成像元件連接端子10如圖2所示,以與所要安裝的成像元件21的多個端子25(參見圖4)對應的方式設置。此外,多個成像元件連接端子10對應于多個成像元件開口部7地設置。成像元件連接端子10具有仰視大致圓形。成像元件連接端子10形成為在剖視(側剖視和正剖視)中向下側凸出。具體而言,成像元件連接端子10一體化具備在成像元件開口部7的外周配置的外周部12以及以從外周部12向內側凹進的方式在成像元件開口部7內配置的內側部13。內側部13的下表面(露出面)從成像元件開口部7露出,以平坦的方式形成。此外,內側部13的下表面以與基礎絕緣層4的下表面成一個面的方式形成。

多個外部部件連接端子11如圖1所示,在外部部件連接部3的后端緣沿左右方向相互隔開間隔地整齊排列。即,以與外部部件的多個端子(未圖示)對應的方式設置。此外,多個外部部件連接端子11對應于多個外部部件開口部8地設置。外部部件連接端子11具有俯視大致矩形(長方形狀)。外部部件連接端子11配置在外部部件開口部8內,其下表面從外部部件開口部8露出。

多個布線9如圖2所示,具備多個連接布線14和多個接地布線15。

多個連接布線14以與多個成像元件連接端子10和多個外部部件連接端子11對應的方式設置。具體而言,連接布線14雖在圖1中未圖示,但以將成像元件連接端子10與外部部件連接端子11連接的方式與它們一體化地形成。即,連接布線14的一端與成像元件連接端子10連接,連接布線14的另一端與外部部件連接端子11連接,將它們電連接。

多個接地布線15以與多個連接布線14對應的方式設置。具體而言,多個接地布線15在多個連接布線14的外側沿著它們設置。在接地布線15的一端一體化連接有未圖示的接地端子。

作為導體圖案5的材料,例如可列舉出銅、銀、金、鎳或含有它們的合金、焊料等金屬材料。優選列舉出銅。

導體圖案5的厚度例如為1μm以上,優選為3μm以上,此外,例如為15μm以下,優選為10μm以下。布線9的寬度例如為5μm以上,優選為10μm以上,此外,例如為100μm以下,優選為50μm以下。

覆蓋絕緣層6如圖2所示,以被覆導體圖案5的方式設置在基礎絕緣層4和導體圖案5的上側。即,覆蓋絕緣層6以與導體圖案5的上表面和側面以及從導體圖案5露出的基礎絕緣層4的上表面接觸的方式配置。覆蓋絕緣層6形成在安裝基板1的上層。除了外部部件連接端子11的形成部分以外,覆蓋絕緣層6的外形以與基礎絕緣層4相同的方式形成。

覆蓋絕緣層6含有與基礎絕緣層4中所述的絕緣材料同樣的絕緣材料。

用于形成覆蓋絕緣層6的絕緣材料的吸濕膨脹系數例如與用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料的吸濕膨脹系數相同。絕緣材料的吸濕膨脹系數依據日本特開2013-100441號公報的實施例的記載進行測定。具體而言,用于形成覆蓋絕緣層6的絕緣材料的吸濕膨脹系數為15×10-6/%rh以下,優選為13×10-6/%rh以下,此外,例如為0×10-6/%rh以上,優選為1×10-6/%rh以上。如果絕緣材料的吸濕膨脹系數超過上述上限,則無法抑制覆蓋絕緣層6的翹曲、甚至是安裝基板1的翹曲。另一方面,如果絕緣材料的吸濕膨脹系數為上述上限以下,則能夠抑制覆蓋絕緣層6的翹曲,甚至是抑制安裝基板1的翹曲。

覆蓋絕緣層6的厚度t2例如為6μm以下,優選為4μm以下,此外,例如為1μm以上,優選為2μm以上。

需要說明的是,覆蓋絕緣層6的厚度t2以接下來說明的基礎絕緣層4的厚度t1和覆蓋絕緣層6的厚度t2的總和達到所期望的范圍的方式進行調節。

基礎絕緣層4的厚度t1和覆蓋絕緣層6的厚度t2的總和(絕緣層的總厚度、t1+t2)為16μm以下,優選為13μm以下,更優選為10μm以下,此外,例如為1μm以上,優選為5μm以上。需要說明的是,基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的總厚度在未形成導體圖案5的區域中,是在厚度方向上相互接觸的基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的厚度。

如果基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的總厚度超過上述上限,則不會產生安裝基板1易翹曲的不利情況(本發明的課題)。

另一方面,如果基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的總厚度為上述上限以下,則會產生安裝基板1變得易翹曲的不利情況(本發明的課題)。然而,由于基礎絕緣層4的下表面全部向下方露出,且基礎絕緣層4含有具有15×10-6/%rh以下的吸濕膨脹系數的絕緣材料,因此能夠抑制安裝基板1的翹曲。

基礎絕緣層4的厚度t1相對于覆蓋絕緣層6的厚度t2之比(t1/t2)例如為5以下,優選為1.8以下,此外,例如為1以上,優選為1.3以上。

安裝基板1的厚度(基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6的總厚度)例如為50μm以下,優選為30μm以下,更優選為20μm以下,此外,例如為1μm以上,優選為5μm以上。

2.成像元件安裝基板的制造方法

安裝基板1如圖3的a~圖3的d所示,例如通過依次實施金屬支撐體準備工序、基礎絕緣層形成工序、導體圖案形成工序、覆蓋絕緣層形成工序和金屬支撐體去除工序來得到。

如圖3的a所示,金屬支撐體準備工序中準備金屬支撐體19。

金屬支撐體19具有沿面方向延伸的俯視大致矩形(長方形狀)的平板形狀(片形狀)。

金屬支撐體19例如由不銹鋼、42合金、鋁等金屬材料形成。優選由不銹鋼形成。

金屬支撐體19的厚度例如為5μm以上,優選為10μm以上,例如為50μm以下,優選為30μm以下。

金屬支撐體19的上表面以平坦(平滑)的方式形成。

接著,基礎絕緣層形成工序中,在金屬支撐體19的上表面形成基礎絕緣層4。即,在金屬支撐體19的上表面形成具有成像元件開口部7和外部部件開口部8的基礎絕緣層4。

具體而言,首先制備感光性的絕緣材料的清漆。如果絕緣材料為聚酰亞胺,則清漆可以以適當的比例含有能夠溶解上述酸二酐成分和二胺的溶劑,進而,可以以適當的比例含有光敏劑、敏化劑、阻聚劑、鏈轉移劑、流平劑、增塑劑、表面活性劑、消泡劑等添加劑。

接著,將清漆涂布于金屬支撐體19的上表面整面,接著,使溶劑干燥。由此形成基膜。然后,隔著具有與成像元件開口部7和外部部件開口部8對應的圖案的掩模對基膜進行曝光。然后,將基膜顯影,之后,根據需要而進行加熱固化。

如圖3的b所示,導體圖案形成工序中,在基礎絕緣層4的上表面以及從成像元件開口部7和外部部件開口部8露出的安裝基板1的上表面,以上述圖案形成導體圖案5。例如通過加量法等來形成導體圖案5。

如圖3的c所示,覆蓋絕緣層形成工序中,將覆蓋絕緣層6配置在導體圖案5和基礎絕緣層4的上表面。覆蓋絕緣層形成工序與基礎絕緣層形成工序同樣地實施。

由此,以被金屬支撐體19支撐的狀態得到具備基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6的安裝基板1。需要說明的是,該安裝基板1具備金屬支撐體19,尚未去除。因此,該安裝基板1不包括在本發明的柔性布線電路基板中。

如圖3的d所示,金屬支撐體去除工序中將金屬支撐體19去除。

作為金屬支撐體19的去除方法,可列舉出:例如將金屬支撐體19自基礎絕緣層4的下表面、從成像元件開口部7露出的成像元件連接端子10的下表面以及從外部部件開口部8露出的外部部件連接端子11的下表面剝離的方法;例如對金屬支撐體19實施例如干式蝕刻、濕式蝕刻等蝕刻的方法等。優選列舉出蝕刻,更優選列舉出濕式蝕刻。濕式蝕刻中,可列舉出使用氯化鐵水溶液等作為蝕刻液來進行噴霧或浸漬的化學蝕刻法。

由此,將金屬支撐體19被去除,得到具備基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6的安裝基板1。安裝基板1不具備金屬支撐體19,優選僅由基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6構成。該安裝基板1通過將金屬支撐體19去除,能夠在接下來說明的用途中使用,并且能夠發揮作用效果。

這種安裝基板1例如在用于安裝成像元件的成像元件安裝基板中使用。即,安裝基板1為攝像頭模塊等成像裝置所具備。需要說明的是,安裝基板1并非接下來說明的成像裝置,而是成像裝置的一個部件,即用于制作成像裝置的部件,不含成像元件,具體而言,是作為部件單獨流通、可在產業上利用的器件。

3.成像裝置

接著,作為本發明的成像裝置的一個例子,對具備安裝基板1的成像裝置20進行說明。

如圖4所示,成像裝置20具備安裝基板1、成像元件21、外殼22、光學鏡頭23和濾波器24。

安裝基板1將圖2所示的安裝基板1上下翻轉而為成像裝置20所具備。即,安裝基板1以使基礎絕緣層4為上側(厚度方向的另一側)、覆蓋絕緣層6為下側(厚度方向的一側)的方式配置。

成像元件21是將光轉換成電信號的半導體元件,例如可列舉出cmos傳感器、ccd傳感器等固體成像元件。成像元件21形成為俯視大致矩形的平板形狀,雖未圖示,其具備si基板等硅、配置在其上的發光二極管(光電轉換元件)和濾色片。在成像元件21的下表面設置有多個與安裝基板1的成像元件連接端子10對應的端子25。成像元件21的厚度例如為10μm以上,優選為50μm以上,此外,例如為1000μm以下,優選為500μm以下。

成像元件21安裝于安裝基板1。具體而言,成像元件21的端子25通過對應的安裝基板1的成像元件連接端子10和焊料凸塊26等進行倒裝芯片安裝。由此,成像元件21被配置在安裝基板1的外殼配置部2的中央部,與安裝基板1的成像元件連接端子10和外部部件連接端子11電連接。

成像元件21通過安裝于安裝基板1來構成成像單元27。即,成像單元27具備安裝基板1和安裝在其上的成像元件21。

外殼22以隔開間隔地包圍成像元件21的方式配置在成像元件21的外殼配置部2。外殼22具有俯視大致矩形的筒狀。在外殼22的上端設置有用于固定光學鏡頭23的固定部。

光學鏡頭23與安裝基板1和成像元件21隔開間隔地配置在安裝基板1的上側。光學鏡頭23形成為俯視大致圓形,通過固定部以使來自外部的光到達成像元件21的方式固定。

濾波器24在成像元件21和光學鏡頭23的上下方向中央與它們隔開間隔地配置,固定于外殼22。

接著,該安裝基板1由于基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的總厚度(t1+t2)薄至16μm以下,因此能夠實現薄型化。

此外,該安裝基板1如圖2所示,由于基礎絕緣層4的下表面全部朝下方露出,且基礎絕緣層4含有具有15×10-6/%rh以下的低的吸濕膨脹系數的絕緣材料,因此能夠抑制翹曲。

尤其,在安裝基板1具備金屬支撐體19的情況下,在基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的總厚度比金屬支撐體19的厚度薄時,金屬支撐體19的剛性會過度約束基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6,反而會使翹曲這一不利情況變顯著。然而,該一個實施方式中,由于基礎絕緣層4的下表面全部朝下方露出(安裝基板1不具備金屬支撐體19),因此能夠將基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6從金屬支撐體19的約束中解放出來。此外,雖然由此基礎絕緣層4的下表面全部露出,但由于基礎絕緣層4由具有低的吸濕膨脹系數的絕緣材料形成,因此即使它們的總厚度薄,也不易受濕度的影響,從而能夠抑制翹曲。

進而,如果絕緣材料為含有式(1)所示的結構單元的聚酰亞胺,則在耐熱性優異的同時能夠確保低的吸濕膨脹系數,能夠抑制安裝基板1的翹曲。

此外,該安裝基板1由于導體圖案5具備從基礎絕緣層4朝下方露出的成像元件連接端子10和外部部件連接端子11,因此能夠確實地將它們與成像元件21和外部部件電連接。

此外,由于該安裝基板1是安裝成像元件21的成像元件安裝基板1,因此能夠提供實現了薄型化的成像裝置,并且抑制了安裝基板1的翹曲。因此,成像裝置20能夠提高安裝基板1與成像元件21的連接可靠性。

根據上述圖3的a~圖3的d所示的安裝基板1的制造方法,能夠得到實現了薄型化、抑制了翹曲的安裝基板1。

<變形例>

在變形例中,對于與一個實施方式同樣的構件和工序標以相同的附圖標記,省略其詳細說明。

在一個實施方式中,將用于形成覆蓋絕緣層6的絕緣材料的吸濕膨脹系數設定為與用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料的吸濕膨脹系數相同,但不限于此,例如可以將用于形成覆蓋絕緣層6的絕緣材料的吸濕膨脹系數設定在用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料的吸濕膨脹系數的范圍外。總之,至少用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料為所期望的吸濕膨脹系數即可。

在一個實施方式中,作為本發明的柔性布線電路基板說明了用于安裝成像元件21的成像元件安裝基板1(安裝基板1),但柔性布線電路基板的用途不限于此。例如適宜用于要求薄型化和抑制翹曲的各種用途,具體為壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀傳感器、超聲波傳感器、指紋認證傳感器等的安裝基板等。

一個實施方式的安裝基板1如圖2所示,布線9具備接地布線15,而例如雖未圖示,但也可以不具備接地布線15。即,也可以僅由連接布線14構成布線9。

此外,一個實施方式的成像裝置20如圖4所示,成像元件21在安裝基板1上進行倒裝芯片安裝,但例如雖未圖示,成像元件21也可以通過引線鍵合來安裝于安裝基板1。

一個實施方式如圖2所示,安裝基板1僅具備基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6,而例如該變形例如圖5所示,安裝基板1還具備屏蔽層40和作為第3絕緣層的一個例子的第2覆蓋絕緣層31。

該安裝基板1朝上側依次具備基礎絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層(第1覆蓋絕緣層)6、屏蔽層40和第2覆蓋絕緣層31。

屏蔽層40以與覆蓋絕緣層6的上表面接觸的方式配置在覆蓋絕緣層6的上側。屏蔽層40是將來自外部的電磁波屏蔽的層,形成為沿面方向(前后方向和左右方向)延伸的片狀。

屏蔽層40與接地布線15電連接。即,屏蔽層40與接地布線15連接。具體而言,屏蔽層40在與接地布線15相對的部分具備具有向下側的凸起形狀的、與接地布線15的上表面接觸的接觸部41。

接觸部41具備直接與接地布線15接觸的平坦部42以及以與平坦部42的周圍連續的方式一體化配置的傾斜部43。

平坦部42形成為沿面方向延伸的平板狀。傾斜部43沿與上下方向和面方向交差(傾斜)的傾斜方向延伸。

由此,屏蔽層40通過接地布線15接地。

屏蔽層40由導體形成,例如可使用銅、鉻、鎳、金、銀、鉑、鈀、鈦、鉭、焊料或它們的合金等金屬材料。優選列舉出銅。屏蔽層40的厚度例如為0.05μm以上,優選為0.1μm以上,此外,例如為3μm以下,優選為1μm以下。

第2覆蓋絕緣層31以被覆屏蔽層40的方式設置在屏蔽層40的上側。第2覆蓋絕緣層31的外形形成為與覆蓋絕緣層6相同。

第2覆蓋絕緣層31含有與基礎絕緣層4中所述的絕緣材料同樣的絕緣材料。用于形成第2覆蓋絕緣層31的絕緣材料的吸濕膨脹系數與用于形成基礎絕緣層4的絕緣材料的吸濕膨脹系數相同。具體而言,用于形成第2覆蓋絕緣層31的絕緣材料的吸濕膨脹系數為15×10-6/%rh以下,優選為13×10-6/%rh以下,此外,例如為0×10-6/%rh以上,優選為1×10-6/%rh以上。如果絕緣材料的吸濕膨脹系數超過上述上限,則無法抑制第2覆蓋絕緣層31的翹曲、甚至是安裝基板1的翹曲。另一方面,如果絕緣材料的吸濕膨脹系數為上述上限以下,則能夠抑制第2覆蓋絕緣層31的翹曲、甚至是抑制安裝基板1的翹曲。

第2覆蓋絕緣層31的厚度t3例如為3μm以下,優選為2μm以下,此外,例如為0.1μm以上,優選為1μm以上。

基礎絕緣層4的厚度t1、覆蓋絕緣層6的厚度t2和第2覆蓋絕緣層31的厚度t3的總和(絕緣層的總厚度、t1+t2+t3)為16μm以下,優選為13μm以下,更優選為10μm以下,此外,例如為1μm以上,優選為5μm以上。如果基礎絕緣層4、覆蓋絕緣層6和第2覆蓋絕緣層31的總厚度為上述上限以下,則能夠抑制第2覆蓋絕緣層31的翹曲。

進而,第2覆蓋絕緣層31含有具有15×10-6/%rh以下的吸濕膨脹系數的絕緣材料。

圖5所示的安裝基板1可以通過如下方式制造:在以被金屬支撐體19支撐的狀態得到一個實施方式的安裝基板1后,依次在第1覆蓋絕緣層6的上表面形成屏蔽層40和第2覆蓋絕緣層31,接著去除金屬支撐體19,由此制造。

此外,雖在圖2中未圖示,但導體圖案5的一部分也可以從覆蓋絕緣層6露出。

進而,如圖6的a所示,也可以將多個安裝基板1構成為基板集合體片50。基板集合體片50具備在面方向上為排列狀態的多個安裝基板1。

上述各變形例也可發揮與一個實施方式同樣的作用效果。

實施例

以下給出制造例、比較制造例、實施例和比較例來進一步具體說明本發明。需要說明的是,本發明完全不限定于制造例、比較制造例、實施例和比較例。此外,在以下記載中使用的配混比例(含有比例)、物性值、參數等具體數值可以替換為上述“具體實施方式”中記載的與它們對應的配混比例(含有比例)、物性值、參數等相關記載的上限(以“以下”、“小于”的方式定義的數值)或下限(以“以上”、“超過”的方式定義的數值)。

制造例1

將2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯(tfmb、具有鹵代烷基作為取代基的芳香族二胺)4.0g(20mmol)和對苯二胺(ppd、芳香族二胺)8.65g(80mmol)投入500ml的可拆式燒瓶,使其溶于200g的經脫水的n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp),在氮氣氣流下一邊通過油浴用熱電偶監控并加熱使得液溫達到50℃一邊攪拌。確認它們完全溶解后,在可拆式燒瓶中用30分鐘向其中配混3,3’、4,4’-聯苯四羧酸二酐(bpda、芳香族酸二酐)29.4g(100mmol)后,在50℃下攪拌5小時,然后冷卻至室溫,得到聚酰亞胺前體溶液a。

接著,相對于聚酰亞胺前體溶液a的固體成分100質量份,配混硝苯地平(光敏劑)30質量份,制得感光性聚酰亞胺前體溶液a。

比較制造例1

代替2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯(tfmb)4.0g(20mmol)和對苯二胺(ppd)8.65g(80mmol),變更為4,4’-二氨基二苯基醚(oda、4,4'-氧二苯胺、芳香族二胺)3.0g(15mmol)和對苯二胺(ppd、芳香族二胺)9.19g(85mmol),除此之外與制造例1同樣進行處理,制得聚酰亞胺前體溶液b、接著,制得感光性聚酰亞胺前體溶液b。

實施例1

如圖3的a所示,準備厚度18μm的由不銹鋼形成的金屬支撐體19。

接著,將制造例1的聚酰亞胺前體溶液a涂布在金屬支撐體19的上表面,接著,在80℃下干燥10分鐘,形成基膜(聚酰亞胺前體皮膜)。接著,隔著光掩模對基膜進行曝光,接著,進行顯影。然后,將基膜在氮氣氣氛下在360℃下加熱1小時(使其固化),由此形成由聚酰亞胺形成的、具有成像元件開口部7和外部部件開口部8的厚度10μm的基礎絕緣層4。

如圖3的b所示,然后,以加量法在基礎絕緣層4的上表面以及從成像元件開口部7和外部部件開口部8露出的金屬支撐體19的上表面形成由銅形成的厚度8μm的導體圖案5。

如圖3的c所示,然后,將制造例1的聚酰亞胺前體溶液涂布在基礎絕緣層4和導體圖案5的上表面,接著,在80℃下干燥10分鐘,形成覆膜(聚酰亞胺前體皮膜)。接著,隔著光掩模對覆膜進行曝光,接著,進行顯影。然后,將覆膜在氮氣氣氛下在360℃下加熱1小時,由此得到由聚酰亞胺形成的、厚度5μm的覆蓋絕緣層6。

然后,如圖3的d所示,通過從下方噴霧由氯化鐵水溶液形成的蝕刻液的化學蝕刻法來去除金屬支撐體19。由此,使基礎絕緣層4的下表面全部露出。

由此,得到依次具備下表面全部露出的基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6的安裝基板1。

需要說明的是,基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的聚酰亞胺均具有式(2)所示的結構單元。

式(2):

(式中,x為20。)

實施例2、3和比較例1

基于表1的記載變更各層的配方、厚度、加熱溫度等,除此之外與實施例1同樣進行,得到安裝基板1。

其中,比較例1的基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的聚酰亞胺均具有下述式(3)所示的結構單元。

式(3):

(式中,x為15。)

實施例4

得到依次具備基礎絕緣層4、導體圖案5、覆蓋絕緣層6、屏蔽層40和第2覆蓋絕緣層31的安裝基板1。

基礎絕緣層4、導體圖案5和覆蓋絕緣層6與實施例3同樣進行來形成。

通過濺射形成由厚度0.1μm的銅形成的屏蔽層40,接著,與基礎絕緣層4同樣進行,形成厚度2μm的由聚酰亞胺形成的第2覆蓋絕緣層31。

比較例2

不去除金屬支撐體19,制得具備金屬支撐體19的安裝基板1,除此之外與實施例2同樣進行處理。

在該安裝基板1中,基礎絕緣層4的下表面全部被金屬支撐體19被覆。

比較例3

不去除金屬支撐體19,制得具備金屬支撐體19的安裝基板1,除此之外與比較例1同樣進行處理。

在該安裝基板1中,基礎絕緣層4的下表面全部被金屬支撐體19被覆。

將各實施例和各比較例的層構成和厚度記于表1。

[評價]

對于各實施例和各比較例的安裝基板1,評價以下項目。將其結果記于表1。

<濕度膨脹系數>

測定各實施例和各比較例的安裝基板1的基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的濕度膨脹系數。

具體而言,首先,取安裝基板1的基礎絕緣層4和覆蓋絕緣層6的層疊部分作為試樣。

接著,使試樣充分干燥,然后,將試樣在濕度型熱機械分析裝置(hc-tma4000sa、brukeraxs公司制造)的操作室內在30℃且5%rh的環境下保持3小時使其穩定后,對試樣加載載荷(196mn),接著,使相對濕度變化至75%rh,保持3小時使其穩定。接著,通過濕度型熱機械分析裝置的演算處理,根據試樣伸長率和相對濕度的變化量(70%rh)得到吸濕膨脹系數。

<翹曲>

測定安裝基板1的翹曲。

具體而言,如圖6的a所示,首先,準備具備9個安裝基板1的基板集合體片50。各安裝基板1的外形尺寸為15mm×15mm,此外,基板集合體片50的外形尺寸為45mm×45mm。

接著,將基板集合體片50在溫度25℃、濕度60%rh的環境下載置于平板45的表面。

經過24小時后,如圖6的b所示,測定基板集合體片50的4個頂點處的各下端部與平板45的表面的高度(h1、h2、h3、h4),算出它們的平均值([h1+h2+h3+h4]/4)作為翹曲。

[表1]

需要說明的是,雖然作為本發明的例示的實施方式給出了上述發明,但這僅僅是單純的例示,不應做限定性解釋。該技術領域的技術人員所清楚的本發明的變形例包括在本發明的權利要求保護范圍內。

產業上的可利用性

柔性布線電路基板為成像裝置所具備。

附圖標記說明

1安裝基板(成像元件安裝基板)

4基礎絕緣層

5導體圖案

6覆蓋絕緣層

10成像元件連接端子

11外部部件連接端子

20成像裝置

21成像元件

31第2覆蓋絕緣層

40屏蔽層

50基板集合體片

t1基礎絕緣層的厚度

t2覆蓋絕緣層的厚度

t3第2覆蓋絕緣層的厚度

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